PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  obwód odciążający
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Grzejszczak Piotr, Czaplicki Adam, Szymczak Marek, Barlik Roman
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 6
93--97
PL
Niniejsza praca dotyczy analizy procesów łączeniowych w gałęzi z szybkimi tranzystorami MOSFET. Opisano podstawowe zjawiska towarzyszące szybkim procesom łączeniowym oraz zdefiniowano źródła drgań wartości chwilowych prądu i napięcia na łącznikach. Przybliżono znane z literatury sposoby ograniczania przepięć i tłumienia pasożytniczych drgań obwodu komutacyjnego. Podstawowym celem prowadzonych badań była analiza wpływu obwodów odciążających na łączeniowe straty energii, które są szczególnie istotne w przekształtnikach wysokiej częstotliwości.
EN
This work is devoted to influence of snubber circuits to the fast MOSFET switching. Basic phenomena associated with fast switching were described and sources of transistor current and voltage ringing were defined. The most popular methods of limiting overvoltage and suppressing of parasitic ringing of the MOSFET circuit were presented. The main purpose of the research was the impact of snubber circuits on MOSFET switching energy losses analysis, which are very important in high frequency converters.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.