Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Study of forming process in memristive devices using rectangular waves

Zegarmistrz Piotr, Galias Zbigniew

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 1

15--18

EN

This work focuses on the study of behavior of memristors during the process of forming, i.e., setting the resistance of the element and testing the stability of the resistance. Two types of BS-AF memristive elements are selected for laboratory experiments. The goal of the research is to investigate the conditions under which the resistance of the element is changed when voltages of different levels, duration and polarization are applied. Inparticular, weareinterestedinﬁndingthethresholdvoltagevaluewhichisneededtomodifyofstateoftheelement. Suchavaluedeﬁnesthevoltage level below which one can safely measure instantaneous value of memristor’s resistance (data read operation) without changing this value. The results obtainedshowthatthethresholdvaluedependsonthepolarizationoftheappliedvoltage. Memristorsunderstudyaremuchmoresensitivetoapplying a negative voltage. This means, that a signiﬁcantly smaller value of the voltage is needed to switch from low to high resistance level than to switch from high to low resistance level. It has also been observed that the ﬁnal value of the memristor’s resistance depends on the number and level of applied voltage impulses. This study conﬁrms that BS-AF memristors can operate in more than two states in a stable way, which can be beneﬁcial when using memristors in memory structures or for neuromorphic applications.

PL

W pracy opisano wyniki badań nad procesem formowania memrystorów, tzn. programowaniem poziomu rezystancji chwilowej elementu oraz stabilnościa uzyskanej wartości. W części pomiarowej wykorzystano dwa rodzaje elementów memrystorowych z grupy BS-AF. Celem badań było określenie warunków niezbednych do zmiany rezystancji memrystora podczas wzbudzania napięciami o różnych poziomach, czasie trwania i polaryzacji. W szczególności poszukiwano wartości progowej napiecia zasilającego potrzebnej do modyﬁkacji stanu memrystora. Wartość taka deﬁniuje poziom napięcia, poniżej którego możliwy jest pomiar wartości chwilowej memrystancji (operacja odczytu danych), bez zmiany opisywanej wartości. Uzyskane wyniki wskazują, że wartość ta zależy od polaryzacji przyłożonego napięcia. Badane memrystory są znacznie bardziej czułe na napięcie ujemne. Oznacza to, że znaczaco niższy poziom napiecia jest potrzebny aby przełączyć memrystor ze stanu niskiej do wysokiej rezystancji niż odwrotnie. Zaobserwowano również, że ostateczna wartość rezystancji chwilowej memrystora zależy od liczby i poziomu impulsów napięciowych. Eksperyment ten potwierdza,iz memrystory typu BS-AF mogą uzyskiwać więcej niż dwa poziomy rezystancji chwilowej w stabilny sposób, co może byc kluczowe dla wykorzystania ich w strukturach pamięci lub systemach neuromorﬁcznych.

2

Memristive devices In three-phase systems

Zegarmistrz Piotr, Garda Bartłomiej

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 1

11--14

EN

The aim of the research presented in a paper was to provide trustworthy simulation results for symmetrical three-phase systems with memristive load. The memristors in the system are combined with linear resistors in order to limit the current in the element. Linear drift model of the memristorwasconsideredinMatlabsimulations. ItisbasedonStrukovmodelwithBiolekwindow. Highnonlinearityofmemristorresultsindeformation of most of the signals in the system. Since the voltage of the neutral point is highly non-sinusoidal it affects on other signals like phase voltage, phase currents, delta voltages. A Fast Fourier Transform (FFT) is applied to chosen signals in order to provide a frequency spectrum. On this basis a Total Harmonic Distortion (THD) parameter was calculated.

PL

W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych nad układem trójfazowym symetrycznym z obciążeniem elementami memrystorowymi. Memrystory w obwodzie odbiornika są połączone szeregowo z rezystorami liniowymi w celu ograniczenia prądu. W obliczeniach symulacyjnych przyjęto model memrystora "linear drift", bazujący na modelu Strukova z oknem Biolka. Wysoka nieliniowość elementów memrystorowych skutkuje odkształceniem większości sygnałów w obwodzie. Skoro napięcie punktu neutralnego odbiornika wykazuje wysoką nieliniowość, to skutkuje to odkształceniem pozostałych sygnałów, t.j. napięć fazowych, prądów fazowych czy napięć przewodowych. Do wybranych sygnałów zastosowano Szybką Transformatę Fouriera (FTT) w celu zaprezentowania widma częstotliwościowego. Na tej podstawie obliczono Współczynnik Zawartości Harmonicznych.

3

Budeanu’s concept of reactive and distortion power revisited

Jeltsema D.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 4

68--73

EN

Budeanu’s concept of reactive and distortion power for systems operating under nonsinusoidal conditions has been subject to criticism throughout the past decades, which finally led to its removal from the latest standards. Recently, some new results are presented that shed a different light on Budeanu’s reactive power and its compensation. In this paper, a further analysis is presented to reveal the possibility to endow Budeanu’s reactive and distortion powers with physical meaning. For linear and time-invariant systems it is shown that Budeanu’s reactive power is representing the mean value of the moving average of the difference between the total magnetic and the electric energy. Budeanu’s distortion power, after an appropriate decomposition, represents a measure of the power fluctuations around the active power and Budeanu’s reactive power.

PL

Teoria Budeanu dotycząca mocy w obwodach niesinusoidalnych była w ostatnich latach krytykowana i w rezultacie usunięta z norm. Obecnie wraca się do niektórych elementów tej teorii. W artykule zaprezentowano analizę wskazującą w jakich warunkach teoria Budeanu może być stosowana. Po odpowiedniej dekompozycji moc odkształcona jest miara˛ fluktuacji mocy wokół wartości średniej mocy czynnej i mocy biernej wg Budeanu.

4

Using the hyperbolic algebra for efficient analysis of nonlinear switched dynamical circuits

Trzaska Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 5

35-41

PL

W artykule przedstawiono podstawowe zagadnienia z zakresu algebry hiperbolicznej pod kątem ich efektywnego wykorzystania do analizy drgań, głównie przebiegów niesinusoidalnych, które mogą być wzbudzane źródłowymi sygnałami, niegładkimi lub nieciągłymi w czasie. W analizie wykorzystano reprezentację odpowiedzi obwodu na niegładkie (udarowe) wymuszenia za pomocą składowej o przebiegu ciągłym oraz składowej nieciągłej związanej z funkcją prostokątny kosinus. Wykorzystano również zalety funkcji trójkątny sinus. Obydwóm tym nieklasycznym funkcjom nadano odpowiednią interpretację. Wykazano, że w przypadku stanów okresowych niesinusoidalnych należy wyznaczać odpowiedź obwodu o parametrach skupionych uwzględniając odpowiednie warunki brzegowe. Nacisk położony został na ustalenie powiązań między dynamiką uderzeniową i algebrą hiperboliczną, analogicznie do przypadku drgań sinusoidalnych i konwencjonalnych liczb zespolonych. Przedstawione zostały też wyniki symulacji komputerowych, które ilustrują podane zależności.

EN

The article presents the basic concepts of hyperbolic algebra for their effective use for analysis of oscillations, mainly with non-sinusoidal waveforms, which can be excited by sources of nonsmooth signals or discontinuous in time. The analysis uses the representation of circuit response on the non-smooth (shock) source signals by the course of continuous and discontinuous components, where the last component is associated with rectangular cosine function. The advantages of triangular sine function are also used. With both of the non-classical functions have been given the appropriate interpretations. It has been shown that in the case of periodic non-sinusoidal conditions an answer of the circuit with lumped parameters includes the appropriate boundary conditions. The emphasis is put on determination of relationships between the dynamics of the shock and hyperbolic algebra, analogous to the case of sinusoidal oscillations and conventional complex numbers. Results of computer simulations that illustrate the given formulas are also presented.

5

Pomiar i analiza parametrów elektrycznych w obwodach nieliniowych

Żabicki D.

Elektroinstalator

|

2014

|

nr 3

32--34

PL

Nie ma wątpliwości co do tego, że rosnąca liczba odbiorników o charakterze nieliniowym negatywnie wpływa na jakość energii elektrycznej. Mowa tu przede wszystkim o urządzeniach takich jak komputery i przetwornice napięcia. Źródła zakłóceń bardzo często stanowią odbiorniki nieliniowe dużej mocy (np. spawarki). Oprócz tego przyczyną pogorszenia się jakości zasilania mogą być urządzenia niespełniające wymagań wynikających z norm dotyczących kompatybilności elektromagnetycznej.