PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  obwód impedancyjny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT
Zięba Dawid, Rąbkowski Jacek
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
103--106
PL
W artykule przedstawiono zasadę działania, badania symulacyjne oraz wyniki badań eksperymentalnych trójpoziomowego przekształtnika podwyższającego napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym zbudowanego z wykorzystaniem tranzystorów z azotku galu (GaN) HEMT. Dzięki temu układ pracuje z częstotliwością 250 kHz, co więcej, charakteryzuje się bardzo wysokim współczynnikiem wzmocnienia – wejściowe napięcie o amplitudzie 50V podnosi do napięcia powyżej 750V.
EN
The paper presents principles of operation, results of simulations and experimental study of three-level DC-DC boost converter with quasiZ source network based on GaN HEMT transistors. Due to this feature the converter is switching at 250 kHz, moreover, shows very high voltage gain – input voltage of 50V is boosted above 750V.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.