Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: obliczenia z pierwszych zasad

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Band electronic structure and dielectric functions of (C3N2H5)2SbF5 crystals

Andriyevsky B., Czapla Z.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

2016

Nr 10

51--60

Structural and electronic properties of the ferroelastic crystal (C3N2H5)2SbF5 of the molecular type were studied by ab initio methods in the framework of the density functional theory. Band electronic structure, density of electronic states and dielectric functions in the range of valence electrons excitations of the crystal in the monoclinic phase (space group no. 11) have been obtained using the plane waves, ultrasoft pseudopotentials and van-der-Waals corrections. The electronic values obtained are discussed from the viewpoint of the layer-type crystal structure of (C3N2H5)2SbF5.

Strukturalne i elektronowe właściwości ferroelektrycznego kryształu (C3N2H5)2SbF5 typu molekularnego zostały obliczone w ramach teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem odpowiedniej metody z pierwszych zasad (ab initio). Pasmowa struktura elektronowa, gęstość stanów elektronowych i funkcje dielektryczne w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych kryształu zostały obliczone dla strukturalnej fazy jednoskośnej (grupa przestrzenna no. 11) z wykorzystaniem płaskich fal, super pseudopotencjałów miękkich i uwzględnienia poprawek na oddziaływania międzyatomowe typu van-der-Waalsa. Otrzymane wielkości elektronowe zostały omówione pod kątem warstwowej struktury krystalicznej (C3N2H5)2SbF5.

Obliczenia z pierwszych zasad własności defektów rodzimych w ZnRh2O4

Volnianska O., Bogusławski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

27-29

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dotyczących struktury elektronowej i równowagowych koncentracji punktowych defektów rodzimych (luki, atomy międzywęzłowe, defekty antystrukturalne) w ZnRh2O4. Obliczenia wykonane w przybliżeniu lokalnej gęstości uwzględniły poprawki +U typu Hubbarda, co prowadzi do dobrej wartości przerwy wzbronionej. Dominującymi defektami są luka cynkowa i jon Zn podstawiający Rh. Oba defekty są płytkimi akceptorami o energii tworzenia poniżej 1 eV, co może tłumaczyć obserwowane doświadczalnie w ZnRh2O4 przewodnictwo typu p.

Energy levels and formation energies of native point defects, i.e., vacancies, interstitials, and cation antisites, in ZnRh2O4 were analyzed within DFT-GGA calculations with +U on-site correction imposed on both 4d(Rh) and 2p(O) states. There are two dominant defects, the VZn vacancy and the ZnRh antisite, which are characterized by low formation energies, in the O-rich and Zn-rich conditions, respectively. Both defects are shallow acceptors, and they can be responsible for the observed p-type conductivity of ZnRh2O4.