Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  nonstoichiometry
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy omówiono wpływ zdefektowania sieci krystalicznej siarczku lub tlenku, będącego substratem, na wynik w badaniach typu dominującego zdefektowania metodą markerów. Wykazano, że aby uzyskać racjonalne wyniki w przypadku substratów charakteryzujących się dużym stężeniem defektów punktowych, substraty te powinny być przed procesem „markowania” homogenizowane w stałej temperaturze i przy maksymalnym ciśnieniu utleniacza, przy którym pozostają stabilne. Ponadto, niestechiometria związków powinna być uwzględniona przy pisaniu odpowiednich reakcji chemicznych, w oparciu o które przewiduje się położenie markerów wewnątrz produktu reakcji. Rozważania teoretyczne przedstawione w niniejszej pracy zilustrowane zostały wynikami badań metodą markerów CoS2 i NiS2, narastającymi na silnie zdefektowanych siarczkach Co1-yS i Ni1-yS.
EN
The influence of crystalline lattice disorder of oxide or sulphide, being the substrate in investigations of predominant disorder, on the results obtained using marker method has been studied. It has been shown that the correct results of marker experiments in the case of highly defected ceramic substrates can be obtained, if these substrates before the reaction are submitted to homogenization at constant temperature and under highest oxidant activity under which they remain stable. In addition, in the case of highly defected compounds, the nonstoichiometry must be considered in formulating appropriate chemical reactions, being the basis for anticipating the location of markers in the interior of reaction product. Theoretical considerations presented in this work have been illustrated by the results of predominant disorder, obtained using marker method in CoS2 and NiS2, growing on highly disordered Co1-yS and Ni1-yS.
2
Content available remote Electrical properties of acceptor-doped BaCeO3
EN
Barium cerate exhibits high protonic conductivity in gas atmospheres containing water vapour, especially when modified with a trivalent dopant such as Y, Gd, Yb, Nd, Sm or Dy. Such materials can be used as solid electrolytes in intermediate temperature solid oxide fuel cells. In the present work, the influence of Y and Gd dopants on the electrical properties of BaCeO3 was investigated using the Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) technique. Oxygen nonstoichiometry and valence of cerium were studied with the analytical iodometric method. Samples were prepared in solid-state reactions. It was found that the electrical properties depend on the preparation method. Doping with an acceptor, in this case Y or Gd, leads to substantial changes to both bulk and grain boundary electrical conductivity in comparison with undoped materials.
PL
Cerany baru wykazują wysokie przewodnictwo protonowe w atmosferach gazowych zawierających parę wodną szczególnie wtedy, gdy zostały zmodyfikowane trójwartościowymi domieszkami Y, Gd, Yb, Nd, Sm lub Dy. Takie materiały mogą być wykorzystywane jako elektrolity stałe w komórkach paliwowych stałotlenkowych do pracy w temperaturach pośrednich. W prezentowanej pracy zbadano wpływ domieszek Y i Gd na właściwości elektryczne BaCeO3 przy wykorzystaniu elektrochemicznej spektroskopii impedancyjnej (EIS). Za pomocą analitycznej metody miareczkowania jodometrycznego oznaczono niestechiometrię tlenową i wartościowość ceru. Próbki przygotowano wykorzystując reakcje zachodzące w stanie stałym. Stwierdzono, że właściwości elektryczne zależą od metody preparatyki. Domieszkowanie akceptorem, w tym przypadku Y lub Gd, prowadzi do znacznych zmian przewodnictwa elektrycznego, zarówno objętościowego jaki i po granicach, w porównaniu z materiałami niedomieszkowanymi.
3
Content available remote Właściwości elektryczne azotku tytanu TiN, (x = 1 i 0,9)
PL
Rezystywność elektryczna ceramiki TiN i TiN0,9 została zbadana w zakresie temperatur 300-673 K. Stwierdzono, że materiały te wykazują stabilne metaliczne właściwości elektryczne. Rezystywność zmienia się wraz z temperaturą zgodnie z teorią rozpraszania nośnika ładunku Bloch-Gruneisena. Efekt wodorowego odstępstwa od stechiometrii pozostaje w zgodności z regułą Matthienssena.
EN
Electrical resistivity of TiN and TiN0.9 ceramics has been studied in the temperature range of 300-673 K. It was found, that materials exhibit stable metallic electrical properties. Resistivity changes with temperature according to the Bloch-Gruneisen's charge carrier scattering theory. Effect of the nitrogen departure from nonstoichiometry remains in agreement with the Matthienssen's rule.
EN
Department of Solid State Chemistry, Faculty of Materials Science and Ceramics, AGH University of Science and Technology, al. A. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland (Received October 4th, 2004; revised manuscript November 19th, 2004) The deviation from stoichiometry and chemical diffusion in metal-deficient nickel oxide have been studied as a function of temperature (1073-1673 K) and oxygen pressure (10-105 Pa), using microthermogravimetric techniques. It has been found that the nonstoichiometry, y, inNi1-yOis the following function of temperature and equilibrium oxygen pressure: y = 0.153.pO1/6 2 .exp (80kJ/mol RT) , clearly indicating that the predominant defects in this oxide are non-interacting, doubly ionised cation vacancies and electron holes randomly distributed in the crystal lattice. Re-equilibration rate measurements of nonstoichiometry have shown that the vacancy diffusion coefficient, DV, being the direct measure of defect mobility, does not depend on their concentration and is the following function of temperature: DV = 0.062.exp(-152kJ/mol RT) . Using both these results the self-diffusion coefficient of cations,DNi, inNi1-yOhas been calculated as a function of T and p(O2): DNi = 9.49.10-3.pO 1/6 2 .exp ( - 232kJ/mol RT) , being in excellent agreement with experimental results obtained on single crystalline material.
EN
The deposition of stoichiometric TiO, films for V2O5/ TiO2 catalysts was investigated. DC magnetron sputtering from ceramic oxide targets in an argon/oxygen atmosphere was chosen as deposition technique. Ceramic TiO 2- x targets with a wide range of oxygen nonstoichiometry were prepared following a standard ceramic procedure starting from TiO, and Ti powders. The effect of oxygen nonstoichiometry on target behaviour upon sputtering was followed by means of the target voltage. Increase of voltage maximum with increasing nonstoichiometry of ceramic target was observed and discussed. Optical properties of layers prepared with different oxygen concentrations in the plasma were investigated.
EN
The paper considers defect disorder models of undoped lanthanum cobaltate, LaCoO(3)-delta, and Sr-doped LaCoO(3-delta, La(1-x)SrCoO(3-delta) (LSC), involving both random defect model and cluster defect model. The models are derived using the nonstoichiometry data reported in the literature. Doubly ionized oxygen vacancies are assumed to be the predominant ionic defects within the entire range of compositions. The effect of Sr content on defect disorder of LSC is discussed in terms of both defect models. Impact of segregationon surface composition of ionic solids in general and LSC materials in particular is briefly outlined. The effect of the interface layer on functional properties of LSC as electrode material is briefly discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.