Projektowanie przekształtników energoelektronicznych wymaga odpowiedniego doboru ich podzespołów aktywnych – tranzystorów. W przypadku zastosowań wysokoczęstotliwościowych falowników rezonansowych istotną grupę parametrów stanowią parametry pasożytnicze tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia – nieliniowa pojemność wyjściowa oraz straty mocy i rezystancja zastępcza związane z jej cyklicznym przeładowywaniem. W ramach pracy przedstawiono nową metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia.
EN
The design of power electronic converters requires the proper selection of their active components – transistors. In the case of highfrequency resonant inverter applications, a significant group of parameters to be considered are MOSFET transistor parasitic parameters in the offstate – nonlinear output capacitance, power losses and equivalent resistance associated with its cyclic charging and discharging. The paper presents a new method of determining these power losses and equivalent resistance of MOSFET transistor in the off-state.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W pracy przedstawiono sposób analitycznego wyznaczania pojemności wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET i diod Schottky’ego SiC, stosowanych w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Silna nieliniowość oraz trudności w pomiarach sprawiają, że zwykle wykorzystywane są wartości zastępcze tych pojemności, nieprowadzące do poprawnych obliczeń mocy strat łączeniowych. Zaproponowany sposób charakteryzowania pojemności prowadzi do uściślenia wyników, co zostało zweryfikowane w badaniach symulacyjnych i eksperymentalnych.
EN
The paper presents specific problems of analytic approach to determining capacitances of high-voltage MOSFET and Schottky diodes. Strong non-linearity of these capacitances leads to real problems in design calculations for high frequency converters because inadequate value of capacitance is taken into account. The proposed method of based on the approximation of data curves using an analytic function offers a significant improvement of calculation results. This has been verified with simulations and laboratory measurement test.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W artykule przedstawiono wyniki badań falownika klasy DE sterowanego metod. AM. Wyznaczono teoretyczne charakterystyki sterowania mocy wyjściowej uwzględniające wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora. Opisano elementy falownika: układ sterowania, półmostek tranzystorow Mosfet oraz odbiornik rezonansowy z opornikiem 50 �[omega]. Przedstawiono oscylogramy dla kilku napięć zasilania, zmierzone charakterystyki sterowania mocy oraz wyniki obliczeń sprawności (71-81%). Podano wytyczne projektowe dla falownika sterowanego metod. AM.
EN
Results of study of AM controlled Class DE inverter have been presented in the paper. The output power control theoretical characteristics with influence of nonlinear Mosfet output capacitance have been determined. Modules of the inverter were described: control circuit, half-bridge Mosfet power board and resonant load with 50[omega] resistor. Oscillograms, measurements of output power characteristics and inverter efficiency calculation (71-81%) were presented.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.