Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: nondestructive techniques

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Comparative studies of the optical absorption coefficient spectra in the implanted layers in silicon with the use of nondestructive spectroscopic techniques

Dorywalski Krzysztof, Chrobak Łukasz, Maliński Mirosław

Metrology and Measurement Systems

2020

Vol. 27, nr 2

323--337

This work presents results of comparative studies of the optical absorption coefficient spectra of ion implanted layers in silicon. Three nondestructive and noncontact techniques were used for this purpose: spectroscopic ellipsometry (SE), modulated free carriers absorption (MFCA) and the photo thermal radiometry (PTR). Results obtained with the ellipsometric method are the proof of correctness of the results obtained with the MFCA and PTR techniques. These techniques are usually used for investigations of recombination parameters of semiconductors. They are not used for investigations of the optical parameters of semiconductors. Optical absorption coefficient spectra of Fe+ and Ge+ high energy and dose implanted layers in silicon, obtained with the three techniques, are presented and compared.

Chosen Aspects Of Investigations Of Solar Cells With The Laser Beam Induced Current Technique

Chrobak Ł. B., Madej W. R., Maliński M. A.

Metrology and Measurement Systems

2015

Vol. 22, nr 2

241--250

This paper presents maps of spatial distributions of the short circuit current Isc(x,y) and the open circuit voltage Uoc(x,y) of the investigated low cost solar cells. Visible differences in values of these parameters were explained by differences in the serial and shunt resistances determined for different points of solar cells from measurements of I–V characteristics. The spectral dependence of the photo voltage of solar cell is also shown, discussed and interpreted in the model of amorphous and crystal silicon.

Implementacja wzmacniacza fazoczułego na specjalistycznej karcie przetworników analogowo-cyfrowych NI PCI-4461

Chrobak Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 12

106-109

W artykule przedstawiono podstawy teoretyczne oraz implementację dwufazowego wzmacniacza fazoczułego typu Lock-ln na karcie przetworników analogowo-cyfrowych. Wykorzystaną kartą do implementacji tej funkcjonalności była szybka karta przetworników National InstrumentsŽ PCI-4461. W artykule omówiono szczegóły programowej implementacji wzmacniacza oraz uzyskane wyniki porównane z wynikami uzyskanymi przy zastosowaniu standardowych rozwiązań sprzętowych.

This paper presents theoretical basics and implementation on the analog to digital converters card of the two channel phase sensitive lock-in i type amplifier. National Instruments PCI-4461 fast card has been used as ) a base of this functionality implementation. Details of the software implementation and obtained experimental results compared with the results i obtained with the use of conventional solution have been presented.