Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

2 Modzelewski J.

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: non-linear distortions

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza asymetrii w sterowaniu tranzystorów przeciwsobnego wzmacniacza mocy w.cz. za pomocą transformatora z linią transmisyjną

Modzelewski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 9

47--50

Przeanalizowano właściwości obwodu wejściowego przeciwsobnego liniowego wzmacniacza mocy w. cz. klasy AB z transformatorem szerokopasmowym o przekładni 1:1 na linii transmisyjnej w pobliżu jego dolnej częstotliwości granicznej. Wykazano, że w takim obwodzie wejściowym przy dostatecznie małej częstotliwości roboczej przesunięcie fazy między sygnałami sterującymi bramki obu tranzystorów znacząco maleje poniżej 1800 a różnica między ich amplitudami znacznie wzrasta. W przeciwsobnym wzmacniaczu mocy klasy AB takie błędy sterowania są bardzo niekorzystne, gdyż powodują zniekształcenia nieliniowe wzmacnianego sygnału, w szczególności znaczny poziom drugiej harmonicznej.

Properties of the input circuit in the hf linear Class-AB push-pull power amplifier with the transmission-line 1:1 wide-band transformer were analyzed near its lower limit frequency. It was shown that if the operating frequency is sufficiently low then in this input circuit the phase shift between the signals driving the gates of both transistors decreases significantly below 180o and their amplitude difference increases. In the push-pull Class-AB power amplifier this incorrect driving is very harmful because it causes non-linear distortion of amplifying signals, in particular a high level of the second harmonic.

Obwody typu [pi]1 o małej dobroci wypadkowej w rezonansowych wzmacniaczach mocy

Modzelewski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 11a

200-203

Obwód typu [pi]1 jest stosowany jako wyjściowy obwód rezonansowy we wzmacniaczach klas AB, B i C. W quasi-szerokopasmowych wzmacniaczach rezonansowych (np. do nadajników radiofonicznych UKF-FM 87,5–108 MHz) dobroć wypadkowa obwodu [pi]1 musi być dostatecznie mała. Wykazano, że we wzmacniaczu z takim obwodem druga i trzecia harmoniczna prądu drenu nie są zwierane, co powoduje wzrost wartości międzyszczytowej napięcia dren-źródło. Wzmacniacz wchodzi w stan przewzbudzony a jego charakterystyka przejściowa jest nieliniowa.

The [pi]1 circuit is applied as an output resonant circuit in the class AB, class B and class C tuned power amplifiers. In semi-wideband tuned power amplifiers (e.g. for VHF-FM 87.5 - 108MHz radio transmitters) loaded quality factor Qw of the [pi]1 circuit must be sufficiently low. It has been proven that in the amplifier with low-Qw [pi]1 circuit the 2nd and 3rd harmonics of the transistor drain current are not short-circuited, and peak-to-peak value of the drain-source voltage increases. Hence, the amplifier is overdriven, and its transfer characteristic is non-linear.