Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Kinetic properties and charge transport physics of isotropic semiconductor crystals

Budzak Y. S., Wacławski T.

Czasopismo Techniczne. Nauki Podstawowe

|

2015

|

Y. 112, iss. 1-NP

39--48

EN

This paper presents general formulas for the kinetic properties of semiconductor crystals expressed in terms of the Fermi integrals. The formulas provide algorithms for the calculation or identification of the kinetic properties and constitute (together with the results of theoretical analysis and other presented relationships) the mathematical model of the charge carrier transport phenomena in semiconductor crystals.

PL

Uzyskane i przedstawione w artykule ogólne wzory opisujące własności kinetyczne kryształów półprzewodnikowych są wyrażone poprzez całki Fermiego. Te wzory są podstawą algorytmu do obliczenia i identyfikacji tych własności, stanowiąc (łącznie z wynikami analizy teoretycznej i innymi przedstawionymi zależnościami) model matematyczny zjawisk transportu nośników ładunku elektrycznego w kryształach półprzewodnikowych.

2

Organic field effect transistor with zinc phthalocyanine

Metel E., Jarosz G.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2006

|

Vol. 26

67-71

EN

Output characteristics of an organic field effect transistor with zinc phthalocyanine are presented. As a substrate highly conductive silicon wafers with an insulation layer of silicon dioxide (SiO2) on the top and gold source-drain electrodes on the SiO2 have been used. The field effect mobility of holes estimated from the lower range of source-drain voltage (linear regime) was 9x10-4 cm2/(Vs).

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoża zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 µm (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 µm. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Å/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktację kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyjaniny cynku.

3

Dependence of bimolecular recombination rate constant of different experimental parameters

Obarowska M., Godlewski J.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2006

|

Vol. 26

73-80

PL

Z otrzymanych wzorów analitycznych oraz przeprowadzonych obliczeń numerycznych wynika, że dla wysokich natężeń pola elektrycznego stała szybkości rekombinacji bimolekularnej jest funkcją zewnętrznego pola elektrycznego oraz koncentracji nośników ładunku. Szczególnie interesujący jest wynik dotyczący obniżania się stałej szybkości rekombinacji wraz ze wzrostem natężenia pola elektrycznego, który różni się zupełnie od przewidywań klasycznego modelu Langevina. Przedstawiono w pracy rozważania teoretyczne dotyczące stałej szybkości rekombinacji bimolekularnej są niezwykle ważne dla interpretacji wyników eksperymentalnych szczególnie dotyczących elektroluminescencji w materiałach molekularnych.

EN

The effect of different experimental parameters on biomolecular recombination in organic materials was investigated. From analytical expressions and numerical calculations the biomolecular recombination constant is found to decrease with the increasing electric field and to depend on the charge carrier concentration. these results are of great importance for analysis of the electroluminescence, photoconductivity and other electronic processes caused by bimolecular recombination of the charge carriers.