Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: nitrogen plasma source

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A., Tchutchulashvili G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

14-15

W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.

We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Łusakowska E., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

27-30

W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.

In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.