Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Monolityczna siatka HCG jako zwierciadło w azotkowym laserze VCSEL

Marciniak M., Gębski M., Sokół A. K., Dems M., Wojtatowicz T., Sarzała R. P., Czyszanowski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 9

35--38

PL

W niniejszej pracy omówiona została możliwość wykorzystania monolitycznych podfalowych siatek dyfrakcyjnych o wysokim kontraście współczynnika załamania światła (siatek MHCG) jako zwierciadeł w azotkowych laserach VCSEL. Odpowiednio zaprojektowane siatki MHCG mogą cechować się bardzo wysoką odbijalnością. W pracy podano parametry geometryczne siatki MHCG wykonanej z azotku galu i zaprojektowanej na 414 nm, dla której odbijalność przekracza 99,99%. Zakres długości fal, dla których odbijalność takiego zwierciadła przekracza 99% jest wyraźnie większy niż dla zwierciadeł DBR wykonanych z materiałów azotkowych stosowanych w konstrukcjach niebieskich laserów VCSEL.

EN

In this paper we present idea of using monolithic high contrast grating (MHCG) as mirrors in nitride VCSELs. This solution can make nitride VCSEL production easier. Properly designed MHCG made of gallium nitride can be highly reflective structure. We present construction of GaN MHCG mirror designed for 414 nm which for reflectance is higher than 99.99%. The range, where reflectance of MHCG is higher than 99% is much wider than for nitride DBRs.

2

Zastosowanie niebieskich laserów do detekcji substancji śladowych

Komorowska K., Perlin P., Leszczyński M., Czernecki R., Grzegory I., Porowski S., Stacewicz T., Goss J., Wojtas J., Bielecki Z., Czyżewski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

101-104

PL

Omówiono zastosowanie niebieskiego lasera półprzewodnikowego - struktury wielostudni kwantowych InGaN/GaN - do detekcji substancji śladowych. Wykonano pomiary absorpcji opierając się na technice wysokiej czułości - Spektroskopii Strat we Wnęce Optycznej (ang. Cavity Ring Down Spectroscopy) pozwalającej na detekcję współczynnika absorpcji nawet na poziomie ~10-8 m-1. Przedstawiono przykład detekcji NO2 o niskiej koncentracji (5 ppb) przy użyciu prototypu zaprojektowanego systemu przenośnego do detekcji śladowych ilości substancji wykorzystującego technikę SSWO.

EN

We demonstrate a blue semiconductor multiquantum well InGaN/GaN laser that is applied for trace elements detection. We performed the absorption measurements using a highly sensitive spectroscopic technique - Cavity Ring Down Spectroscopy (CRDS) which allows detection of absorption coefficien even as small as ~10-8 m-1. An example of low concentration (5ppb) NO2 detection measurements using a prototype of specially designed mobile setup based on CRDS technique is presented.

3

Design considerations for InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers

Czyszanowski T., Nakwaski W.

Opto-Electronics Review

|

2001

|

Vol. 9, No. 4

367-376

EN

The rigorous optical model of diode lasers has been used to investigate an imapct of various construction details of multi-quantum-well nitride lasers, as the number of quantum wells placed in active region, as well as designs of their wavequides and buffer layers located between the substrate and the laser structure, on room-temperature laser operation. The model is used to discuss some possible structure modifications to reduce lasing thresholds. Recommended design parameters have been found for each structure.

4

On a possible room-temperature operation of nitride VCSELs

Maćkowiak P., Nakwaski W.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

1999

|

Vol. 19

39-49

EN

A detailed threshold simulation of a room-temperature operation of possible GaN/AlGaN/AlN vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) is developed in an analytical form to compare usabilities of their various designs. Multiple-quantum-wen VCSEL configurations are proved to be the best suited for this application. Their optimal number of quantum wells is found to be proportional to all optical losses within the laser resonators. Single-quantum-well VCSELs turn out to be very sensitive to any increase in optical losses, which practically excludes them from application at room temperature using currently available technology.

PL

W niniejszej pracy przeprowadzono dokładną analizę progową laserów GaN/AlGaN/AlN typu VCSEL w temperaturze pokojowej w celu porównania działania różnych ich struktur. Analiza wykazała, że najlepszą konfigurację w tym przypadku stanowi struktura wielokrotnych studni kwantowych. Stwierdzono przy tym, że optymalna liczba studni jest proporcjonalna do całkowitych strat optycznych promieniowania. Analogiczna struktura z pojedynczą studnią kwantową okazała się bardzo wrażliwa na wzrost powyższych strat, co praktyczniej wyklucza jej obecne stosowanie w temperaturze pokojowej przy zastosowaniu aktualnie dostępnej technologii.

5

Analiza aktualnych trendów rozwojowych w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych w kontekście możliwości ich wytwarzania na podłożu GaN

Nakwaski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1998

|

Vol. 39, nr 3

7-10

PL

Przedstawiono aktualne trendy rozwojowe w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych ze szczególnym uwzględnieniem sytuacji, jaką stwarza możliwość wytwarzania tych przyrządów na podłożach z azotku galu (GaN). Lasery azotkowe są obecnie produkowane przez nieliczne ośrodki technologiczne na świecie głównie na podłożach szafirowych lub niekiedy na podłożach z węglika krzemu, czy też z arsenku galu. Powoduje to generację dyslokacji niedopasowania na granicy podłoże - osadzana warstwa, które rozrastają się w trakcie pracy lasera, wywołując w końcu jego raptowną degradację. Podłoża z azotku galu, które obecnie są wytwarzane jedynie w Polsce w Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN w Warszawie, umożliwiłyby produkcję laserów azotkowych nie wykazujących niedopasowania sieci krystalicznej podłoża i osadzanej warstwy, a więc znacznie bardziej niezawodnych od wytwarzanych do tej pory.

EN

In the present paper, an analysis of recent development trends in physics and technology of the nitride diode lasers is presented. New opportunities created by a possible manufacturing of nitride structures on the GaN substrate are considered. So far nitride devices have been mostly grown on sapphire substrates and sometimes on SiC or GaAs substrates. It causes generation of numerous misfit dislocations at the substrate/layer interface which in the process of dislocation multiplication eventually lead to a catastrophic degradation of a device. High Pressure Research Center of the Polish Academy of Sciences in Warsaw produces gallium nitride substrates as the only technological centre in the world. Nitride structures could be manufactured on such substrates without misfit dislocations, which means that their reliability should be much better than that of nitride devices being produced so far.