Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: nitride film

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Method of investigation of mechanical/wear properties of ultrathin nitride films deposited on silicon.

Wrzesińska H., Rymuza Z., Małyska K.

Zagadnienia Eksploatacji Maszyn

2004

Vol. 39, nr 4

35-50

Nanoindentation and nanoscratch tests were performed for TiN, CrN, NbN ultrathin films deposited on single crystal silicon wafer to estimate their hardness and elasticity modulus. The results of the investigation were compared with the same studies carried out for the microelectronic dielectric films SiO2 (two types - thermally and plasma deposited) and Si3N4. The demonstrated better mechanical properties of the first group of the films predestinate them to be used as protective films in Micro Electro Mechanical System (MEMS) devices.

Metodą wgniecenia przeprowadzono badania bardzo cienkich warstw TiN, CrN i NbN osadzonych na płytce z krzemu krystalicznego celem oceny ich twardości i modułu sprężystości. Do nanoszenia stosowano technikę PVD. Wyniki tych badań zostały porównane z wynikami podobnych prób dla mikroelektronicznych warstw dielektrycznych SiO2 (dwa rodzaje - osadzane termicznie i plazmowo) oraz Si3N4. Obszerne badania ultracienkich warstw azotków TiN, CrN i NbN wykazały, że najlepszymi własnościami mechanicznymi charakteryzuje się warstwa NbN. Spośród warstw mikroelektronicznych warstwy tlenków mają znacznie gorsze własności niż warstwa azotku krzemu. Własności mechaniczne i zużyciowe warstw wszystkich azotków są lepsze od własności mechanicznych podłoża - krzemu krystalicznego oraz badanych warstw dielektrycznych, więc predystynują je do zastosowania jako warstwy ochronne na elementach mikrosystemów elektromechanicznych (MEMS).

Ion bombardment-induced reduction of the ultra-high residual stress in sputter-deposited nitride films designed for electronics.

Nowak R.

Inżynieria Materiałowa

1998

R. XIX, nr 4

1238-1243

The paper adresses the novel post-deposition method of relaxing ultra-high internal stresses prevailing in sputter-grown thin films. A significant reduction of stress has been confirmed by X-ray diffraction and independent substrate deflection measurements for HfN films treated with Si and Au ions of various energies and fluence. The particular sequence of experiments made it possible to deduce about the only possible scenario resulting in stress-relaxation. The observed phenomenon was attributed to the transport of the interstitial defects within the thermal spikes induced by bombarding HfN with ions and an increase in vacancy concentration. The employed Auger electron spectroscopy, transmission electron microscopy and X-ray diffraction technique confirmed that the ion bombardment did not affect either the composition, dislocation structure or texture of nitride films. Stress-relaxation observed for HfN films with the modified shallow zone (implantation with N+ ions of lower energies) served as a proof that the stress reduction is caused by the process which occurs within the film's volume.