Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: niskostratny sterownik bramkowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz

Legutko Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 5

49--54

W artykule przedstawiono opis i sposób realizacji symulacji termicznej niskostratnego sterownika bramkowego małej mocy mogącego pracować z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Symulacja komputerowa rozkładu temperatur na płytce PCB obwodu drajwera została przeprowadzona w celu określenia maksymalnej, dopuszczalnej temperatury pracy układu. Wyniki przeprowadzonej symulacji termicznej dla stanu ustalonego zostały zweryfikowane na stanowisku badawczym przy użyciu kamery termowizyjnej. W wyniku symulacji termicznej wykonanej w oprogramowaniu ANSYS otrzymano rozkład temperatury na płytce PCB wykonanej z materiału IMS (o podłożu aluminiowym), określono temperatury maksymalne dla układów małej mocy. W wyniku badań laboratoryjnych określono straty mocy w niskostratnym sterowniku bramkowym pracującym dla maksymalnej częstotliwości 30 MHz oraz zweryfikowano otrzymane wyniki symulacyjne.

This paper presents a FEM simulation of low-losses MOSFET driver. This gate driver can run at 30MHz frequency and was made with eight low power MOSFET drivers UCC27256. The steady state thermal simulation was made in ANSYS software used a 3D driver model (figure 6,7) performed in Inventor Professional software. The 3D model of MOSFET driver reflects the properties of the real circuit (figure 5) including: PCB board was made IMS material, low power MOSFET drivers UCC27256 and all other items of driver. The steady state thermal simulation of lowlosses driver 8xUCC27526 was carried out in order to determine the maximum permissible operating temperature of the circuit. Additionally, in this paper presents a temperature distribution of PCB board of MOSFET driver (figure 11), maximum temperature of PCB board (figure 12,13) and characteristic of power losses for MOSFET driver for frequency range from 10 MHz to 30 MHz (figure 10). The results of FEM thermal simulation were compared to real infrared photo (figure 17) which was made for a maximum operating frequency 30MHz.

Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą

Legutko Piotr, Kaczmarczyk Zbigniew

Przegląd Elektrotechniczny

2020

R. 96, nr 7

107--112

W artykule przedstawiono podstawowe właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF (20 MHz, 400 W, 91,2%) z ćwierćfalową linią długą dołączoną po stronie zasilania. Falownik ten zawiera jeden tranzystor, przebieg napięcie tranzystora zbliżony jest do prostokątnego oraz występuje przełączanie miękkie tranzystora typowe dla klasy E. Zastosowany tranzystor MOSFET serii DE sterowany jest za pomocą dedykowanego, niskostratnego sterownika bramkowego własnej konstrukcji. Wyjaśniono metodę optymalizacji parametrów falownika klasy EF ze względu na sprawność, którą zrealizowano z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer i wbudowanego algorytmu genetycznego. Koncepcja falownika klasy EF została pozytywnie zweryfikowana laboratoryjnie. Zarejestrowano przykładowe przebiegi czasowe napięć tranzystora oraz wyznaczono wybrane parametry falownika.

Some basic properties and laboratory tests of high-frequency Class EF inverter (20 MHz, 400 W, 91.2%) with quarter-wave transmission line on the supply side are presented in the article. The inverter contains one transistor, the transistor voltage waveform is close to a rectangular one and the soft-switching of the transistor is realized as typically in Class E. The applied DE-series MOSFET transistor was controlled by a dedicated, low-loss driver of its own design. The optimization method of the Class EF inverter parameters to maximize efficiency was explained. It was implemented using ANSYS Simplorer software and a built-in genetic algorithm. The concept of the Class EF inverter was positively verified in the laboratory. Examples of transistor voltage waveforms were recorded and selected inverter parameters were determined.