Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: niezbalansowany magnetron

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model of high rate reactive pulsed magnetron sputtering

Tadaszak K., Posadowski W. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

69-71

Aluminium oxide trhin films were deposited with high rate reactive pulsed magnetron sputtering of the aluminium target in argon and oxygen mixture. Experiments showed that properties of achieved films were comparable for conventionally sputtered layers. The main purpose was to explain behaviour of the high rate sputtering classical Berg's model. The parameters which were important for efficiency of deposition have been estimated. However it occurred that it was impossible to fully explain this unusual process phenomenon, due to simplicity of the model. There was need to define additional factors which enabled high efficiency. Presented analysis will be the foundation of future research on high rate reactive pulsed magnetron sputtering.

Cienkie warstwy tlenku glinu zostały osadzone za pomocą wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego targetu glinowego w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Właściwości otrzymanych warstw były porównywalne z parametrami struktur cienkowarstwowych osadzanymi standardowo. Głównym celem pracy była próba wyjaśnienia zjawisk zachodzących podczas procesu wysokowydajnego rozpylania za pomocą klasycznego modelu Berga. Niestety, uproszczenia tego modelu nie pozwoliły na pełną interpretację zjawisk zachodzących podczas reaktywnego magnetronowego rozpylania dużej wydajności. Zdefiniowano dodatkowe czynniki determinujące warunki rozpylania z dużą wydajnością. Zaprezentowana analiza będzie stanowiła punkt wyjściowy podczas badań i ustalania parametrów procesu wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego.