Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: niedopasowanie sieciowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Structural study of InGaAs/GaAs heterostructures.

Kątcki J., Rzodkiewicz W., Ratajczak J., Adamczewska J., Regiński K., Phillipp F., Jin-Phillipp N.Y.

Inżynieria Materiałowa

1998

R. XIX, nr 4

844-847

This paper reports results of the investigation of the influence of the profile of indium content in a InxGa1-xAs layer on the formation of dislocations. In GaAs/GaAs heterostructures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffractometry was involved. A difference in dislocation structure was observed in a heterostructure with a graded-index layer and with InxGa1-xAs multilayers.