Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  nickel sulfide
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In this work, we have prepared new materials of the nickel sulfide thin films by using the spray pyrolysis technique for promising co-catalyst to improve the photocatalytic performance or superconductivity. The effect of deposition temperature (523, 573 and 623 K) on structural, optical and electrical properties was investigated. The XRD diffraction shows that the prepared nickel sulfide at 523, 573 and 623 K having an orthorhombic, hexagonal and hexagonal structure, which were Ni3S2, Ni17S18 and NiS2, respectively. The minimum value of crystallite size (45,9 nm) was measured of deposited film at 573K. The thin films prepared at 523 and 573 K have an average transmittance is about 20 %. The prepared Ni1S2 thin film at T=623 K has the lowest calculated optical band gap and Urbach energy. The Ni1S2 thin film also has the best calculated of the refractive index and the extinction coefficient. The FTIR spectrums of the nickel sulfide have various bands such as Ni-S, C-H, O-H, N–H and C-S. The maximum electrical conductivity is 4,29x105 (Ω.cm)-1 was obtained at 573K of the Ni17S18. The nickel sulfide thin films sprayed at 573K have good structural, optical and electrical properties.
2
Content available remote Electrochemical dissolution of synthetic heazlewoodite (Ni3S2)
EN
The aim of the study was to examine the dissolution kinetics of synthetic heazlewoodite and the formation of elemental sulfur by electrochemical methods. Anodic polarisation curves, potentiostatic measurements and cyclic voltammetry were carried out in 1 N sulfuric acid at temperature 25°C. The anodic dissolution of heazlewoodite procceds in two stages. At potentials below 600 mV vs. SCE heazlewoodite is only converted to higher sulfides such as millerite NiS. At higher potential the reaction products dissolve forming first other sulfides and elemental sulfur and later other sulfides, elemental sulfur and sulfate. The percentage of sulfides in the reaction products was high even at high potentials. The formation of elemental sulfur was not seen to hinder dissolution of the sulfide. The part of sulfur oxidized to sulfate increased with increasing potential. Up to 900 mV only elemental sulfur was formed, at 1000 mV 10% of sulfur was oxidized to sulfate and at 1600 mV 90% of the sulfur was sulfate.
PL
Przedmiotem pracy były badania kinetyki roztwarzania syntetycznego hezelwudytu oraz tworzenia się siarki w tym procesie, z zastosowanie metod elektrochemicznych. Badania prowadzone były w 1 N kwasie siarkowym, w temperaturze 25°C, metodami: potencjostatyczną, krzywych polaryzacyjnych oraz woltamperometrii cyklicznej. Roztwarzanie anodowe hezelwudytu przebiego dwustopniowo. Przy potencjałach poniżej 600 mV hezelwudyt przechodzi w siarczki o wyższej zawartości siarki, na przykład mileryt (NiS). Przy wyższych potencjałach hezelwudyt ulega roztwarzaniu, tworząc siarczki o wyższej zawartości siarki i siarkę, a następnie siarczki o wyższej zawartości siarki, siarkę i siarczany, przy czym przy wyższych potencjałach obserwowano tworzenie się większej ilości siarczków o wyższej zawartości siarki. Nie zaobserwowano negatywnego wpływu tworzenia się siarki elementarnej na przebieg procesu roztwarzania. Ilość tworzących się siarczanów wzrasta wraz ze wzrostem potencjału. Poniżej potencjału 900 mV tworzy się siarka elementarna, przy potencjale 1000 mV 10% siarki ulega utlenieniu do siarczanów, a przy potencjale 1600 mV do siarczanów ulega utlenieniu aż 90% siarki.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.