Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Archiwum Nauki o Materiałach

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: new layered structures

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nowe struktury warstwowe wykazujące efekt gigantycznego magnetooporu.

Stobiecki F., Luciński T., Dubowik J., Szymański B., Urbaniak M., Smardz L., Schmidt M., Aleksiejew J.

Archiwum Nauki o Materiałach

2003

T. 24, nr 4

285-295

Przedstawiono fenomenologiczny opis efektu gigantycznego magnetooporu (GMR) w nanostrukturach warstwowych (grubości poszczególnych warstw układu warstwowego nie przekraczają 10 nm). Wykorzystując rezultaty wcześniejszych badań, dotyczących własności magnetycznych cienkich warstw, zaproponowano zastosowanie nowych materiałów w strukturach typu zawór spinowy. Zaprezentowano wyniki pomiarów magnetooporu dla struktur typu F1/NF/F2 (F1, F2 warstwy ferromagnetyczne o różnych polach koercji, NF metal nieferromagnetyczny). Wykazano, że w takich strukturach mogą znaleźć zastosowanie warstwy Ti/Co i NiO/Co jako materiały o odpowiednio małym i dużym polu koercji. Zademonstrowano również możliwość wykorzystania wielokrotnych warstw Fe/Si, wykazujących silne antyferromagnetyczne sprzężenie wymienne, jako sztucznego antyferromagnetyka w GMR-owskich strukturach warstwowych typu zawór spinowy. Wykonano układy warstwowe wykazujące w kolejnych subwarstwach ferromagnetycznych naprzemian anizotropię typu łatwa płaszczyzna i łatwa oś prostopadła do płaszczyzny warstwy. Pokazano, że w tym nowym rodzaju struktur warstwowych możliwe jest uzyskanie liniowej zależności oporu elektrycznego w funkcji pola magnetycznego.

The phenomenological description of the giant magnetoresistance (GMR) effect in thin film nanostructures (thicknesses of individual layers are smaller than 10 nm) are presented. Basing on previously determined magnetic properties of thin films, new spin valve structures are proposed. The results of magnetoresistance measurements of F1/NF/F2 (F1, F2 and NF are ferromagnetic layers with different coercivity fields, and nonferromagnetic layers, respectively) structures are presented. It is demonstrated that in such structures Ti/Co and NiO/Co layers can be applied as the soft and hard magnetic layers respectively. The application of Fe/Si multilayers with strong antiferromagnetic coupling as artificial antiferromagnet in GMR structures is also documented. The layered structures with alternating in-plane and perpendicular anisotropy of ferromagnetic layers are proposed for magnetoresistive sensors with a linear dependence of electrical resistance versus magnetic field.