Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: native point defects

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Obliczenia z pierwszych zasad własności defektów rodzimych w ZnRh2O4

Volnianska O., Bogusławski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

27-29

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dotyczących struktury elektronowej i równowagowych koncentracji punktowych defektów rodzimych (luki, atomy międzywęzłowe, defekty antystrukturalne) w ZnRh2O4. Obliczenia wykonane w przybliżeniu lokalnej gęstości uwzględniły poprawki +U typu Hubbarda, co prowadzi do dobrej wartości przerwy wzbronionej. Dominującymi defektami są luka cynkowa i jon Zn podstawiający Rh. Oba defekty są płytkimi akceptorami o energii tworzenia poniżej 1 eV, co może tłumaczyć obserwowane doświadczalnie w ZnRh2O4 przewodnictwo typu p.

Energy levels and formation energies of native point defects, i.e., vacancies, interstitials, and cation antisites, in ZnRh2O4 were analyzed within DFT-GGA calculations with +U on-site correction imposed on both 4d(Rh) and 2p(O) states. There are two dominant defects, the VZn vacancy and the ZnRh antisite, which are characterized by low formation energies, in the O-rich and Zn-rich conditions, respectively. Both defects are shallow acceptors, and they can be responsible for the observed p-type conductivity of ZnRh2O4.