Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  narzędzia skrawające z węglików spiekanych
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Synthesis of high purity Al2O3 layers by MOCVD method on cemented carbide cutting tools with no intermediate layer of TiC was investigated. Alumina acetyloacetonate Al(O2C5H7)3 was used ar precursor and pure argon (99,999%) and/or air as carrier gases. Oxygen present in air was necessary for elimination of carbon solid by-product of Al(acac)3 pyrolisis). Al2O3 layers were synthesized in the temperature range of 800°-1100°C at their growth rate of even 5 žm/h. The layers synthesized at 800°C were holding at temperature of 900°-1100°C, what caused their crystallization. Obtained layers were smooth and well adhered to the substrate. Tests on the life of the material (they were performed using standard steel for machining) indicate about 3-fold increase of the tool life.
PL
Badano warunki syntezy warstw Al2O3 o wysokiej czystości metodą MOCVD na narzędziach skrawających z węglików spiekanych bez warstwy pośredniej TiC. Jako prekursor zastosowano acetyloacetonian glinu Al(O2C5H7)3 oraz czysty argon (99.999%) lub/i powietrze jako gazy nośne. Tlen zawarty w powietrzu był niezbędny do usunięcia węgla (stałego produktu ubocznego pirolizy Al(acac)3). Warstwy Al2O3 syntezowano w temperaturze 800°-1100°C, przy szybkości wzrostu nawet 5 žm/h. Warstwy syntezowane w temperaturze 800°C wygrzewano w temperaturze 900°-1100°C, co powodowało ich krystalizację. Otrzymane warstwy były gładkie i dobrze przyczepne do podłoża. Badania żywotności materiału - próby skrawania przeprowadzone na stali w stanie znormalizowanym - wykazały 3-krotny wzrost żywotności narzędzi z warstwą w porównaniu z narzędziami bez warstwy.
EN
Deposition of high purity Al2O3 layers on cemented carbide cutting tools with no intermediate layer of TiC using alumina acetyloacetonate Al(O2C5H7)3 as precursor was investigated. Pure ammonia (NH3) and argon (Ar) were used as carrier gases. Carbon (solid by-product of Al(acac)3 pyrolisis) was eliminated by introduction of air - source of oxygen - into the CVD reactor. Al2O3 layers were synthesized in the temperature range of 800-1100 degrees centigrade at their growth rate of even 5 micrometers/h. The layers synthesized at 800 degrees centigrade were holding at a temperature of 900-1100 degrees centigrade, what caused their crystallization. The layers obtained were smooth and well adhered to the substrate.
PL
W pracy prowadzono badania nad syntezą czystych warstw Al2O3 na narzędziach skrawających z węglików spiekanych, nie pokrywanych uprzednio pośrednią warstwą TiC, z użyciem acetyloacetonianu glinu AL(O2C5H7)3. Jako gazy nośne stosowano czysty amoniak (NH3) i argon (Ar). Węgiel (produkt pyrolizy Al(acac)3) eliminowano przez wprowadzenie powietrza - źródła tlenu - do reaktora CVD. Warstwy Al2O3 osadzano w zakresie temperatur 800-1100 stopni Celsjusza. Szybkość wzrostu tych warstw wynosiła nawet 5 mikrometrów/h. Warstwy syntezowane w 800 stopni Celsjusza wygrzewano dodatkowo w temperaturach 900-1100 stopni Celsjusza, co powodowało ich krystalizację. Otrzymane warstwy były gładkie i dobrze przyczepne do podłoża.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.