Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  napreżenia w polikrystalicznych warstwach diamentowych
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawione są rezultaty badań naprężeń w polikrystalicznych warstwach diamentowych naniesionych przy użyciu metody HFCVD na podłoża krzemowe. Charakterystykę warstw przeprowadzono przy zastosowaniu takich technik jak: spektroskopia Ramana, skaningowa mikroskopia elektronowa i dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych. Mikrofotografie powierzchni warstw diamentowych wskazują na polikrystaliczną strukturę, składającą się z ziarn diamentu o rozmiarach rzędu 1 um. Badania umożliwiły identyfikację składu fazowego badanego materiału wskazując na znaczny udział fazy diamentowej w ziarnach polikrystalicznej struktury. Analiza rezultatów wskazuje na brak obecności w badanych warstwach diamentowych takich faz krystalicznych jak lonsdaleit i grafit. W przypadku cienkich warstw diamentowych widoczne są obszary podłoża krzemowego nie pokryte warstwą diamentu a prawdopodobnie pokryte amorficzną warstwą węglową lub warstwą węglika krzemu.
EN
In the paper the results of biaxial stress investigations in polycrystalline diamond films deposited on silicon substrates by HF CVD are presented. The diamond films characteristics were carried out using Raman spectroscopy, SEM and EBSD. SEM images of diamond films surface indicate on the polycrystalline structure with diamond grains about 1 um. The researches enabled the identifications of diamond films phase composition indicating on the considerable concentration of diamond phase in the grains of polycrystalline structure. There is no found the crystalline phase as lonsdaleit and graphite in tested diamond films. In the case of very thin films we can shown the places not covered polycrystalline diamond layer, the silicon substrate is covers by amorphous carbon film or SiC film.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.