PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  naprężony krzem
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Model naprężonego tranzystora MOS
Gniazdowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 2
154-159
PL
W artykule omówiono zjawisko piezokonduktywności w kanale tranzystora MOS. W szczególności zaproponowano model prądu tranzystora uwzględniający obecność naprężeń w kanale. Zbadano także rozkłady współczynników piezokonduktywności na płaszczyznach {100}, {110}, {111}. Na koniec przeanalizowano wpływ naprężenia na charakterystyki prądowe tranzystora MOS na poszczególnych płaszczyznach.
EN
In this paper, piezoconductivity in MOSFET channel is presented. Especially, model of drain current under stress is proposed. On planes {100}, {110} and {111} distribution of significant piezoconductance coefficient are analyzed. For assumed specific cases of stress state in the channel the final models of MOSFET for these specific planes are given.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.