Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: napięcie rozwarcia

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A comparison between a donor - acceptor blend layer photovoltaic cell and a double layer photovoltaic cell devices

Pokladko M., Gondek E., Sanetra J., Danel A.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

2006

Vol. 26

81-86

This work presents a study on photovoltaic devices based on poly(3-decylotiophen) - PDT and several 1H-pirazolo{3,4-b}quinoline derivatives - PAQX. A comparison between a blend layer organic photovoltaic devices and a double layer organic photovoltaic devices is presented. Photovoltaic cell structures consist of ITO/active materials/Al. Devices architecture of a donor-acceptor blend layer photovoltaic cell is ITI/D+A/Al where the active organic layer is the blend of two components, the electron dnonor material (D) and electron acceptor material (A) which is denoted - (D+A). Devices architecture of a double layer organic photovoltaic cell is ITO/D/A/Al, where the electron donor material (D) and electron acceptor material (A) are sandwiched between the transparent.

W pracy przedstawiono porównanie fotoogniw o architekturze dwuwarstwowej ITO/D/A/Al, gdzie D jest donorem a A jest akceptorem, i o architekturze jednowarstwowej tzw. mieszaniny ITO/D+A/Al, gdzie warstwę aktywną stanowi mieszanina fizyczna materiałów donorowego i akceptorowego. Warstwę aktywną donorową stanowiły związki z grupy 1H-pirazolo(3,4-b)chinolin (PAQ) natomiast warstwą aktywną akceptorową był poli(3-decylotiofen) - (PDT). Zaprezentowane zostały charakterystyki prądowo - napięciowe otrzymanych ogniw fotowoltaicznych.

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Paszkiewicz B., Ohly T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

41-43

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.