Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Experimental investigation of Euler’s elastica: in-situ SEM nanowire post-buckling

Manecka-Padaż Aleksandra, Jenczyk Piotr, Pęcherski Ryszard B., Nykiel Anna

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2022

|

Vol. 70, nr 6

art. no. e143648

EN

An in-situ nanoindenter with a flat tip was employed to conduct buckling tests of a single nanowire with simultaneous SEM imaging. A series of SEM images allowed us to calculate deflection. The deflection was confronted with the mathematical model of elastica. The post-buckling behaviour of nanowires is conducted in the framework of the nonlinear elasticity theory. Results show the significant effect of geometrical parameters on the stability of buckled nanowires.

2

Investigation of hybrid Ge QDs/Si nanowires solar cell with improvement in cell efficiency

Olyaee S., Farhadipour F.

Optica Applicata

|

2018

|

Vol. 48, nr 4

633--645

EN

In this paper, the structure of a high-efficiency solar cell is presented by using a combination of quantum dots of germanium arrays and silicon nanowires on a thin film silicon layer. Due to the low absorption coefficient of silicon, this type of solar cell does not have high efficiency. According to the capability of the quantum structure in absorbing the incident photons and the generation of electron-hole pairs, this structure is proposed. Moreover, nanowires as an appropriate suggestion are applied in our work aiming to improve light scattering and optical photon absorption for the generation of carriers. Both of the electrical and optical characteristics of the solar cell are calculated by using a finite-difference time-domain method. Owing to the change of the nanowire length and increasing the number of quantum dot in our work, maximum power absorption is achieved. The achieved results provide a considerable improvement in efficiency and short-circuit current density. The efficiency is improved up to 17.5% and the short-circuit current density in the active layer of thickness 1170 nm has been provided to be 42.6 mA/cm2. The open circuit voltage for this cell is calculated to be 0.47 V. The achieved results provide a considerable improvement in efficiency and short-circuit current density in comparison with previously published method.

3

Effects of PVA Polymer Type and Calcination Temperature on Synthesis of Nanocrystalline Yttria Powder by Polymer Solution Route

Yang Y.-K., Lee S.-J.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2018

|

Vol. 63, iss. 3

1473--1476

EN

Nano-sized yttria (Y2O3) powders were synthesized by a polymer solution route using polyvinyl alcohol (PVA) as an organic carrier. The PVA polymer affected the dispersion of yttrium ions in precursor sol. In this study, three kinds of PVA polymer (different molecular weight) were applied for synthesis of yttria powder. The PVA type as well as calcination temperature had a strongly influence on the particle morphology. Single crystal nano wire particles were observed at the temperature of polymer burn out range and the size was dependent on the PVA type. The stable, fully crystallized yttria powder was obtained through the calcination at 800°C for 1 h. The yttria powder prepared with the high weight PVA (MW: 153,000) revealed a particle size of 30 nm with a surface area of 18.8 m2/g.

4

Badania przewodności elektrycznej i cieplnej nanostruktur

Nawrocki W, Wawrzyniak M., Maćkowski M.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2013

|

nr 2-3

74--76

PL

Opisano wyniki badania przewodności elektrycznej i cieplnej nanostruktur – obiektów o rozmiarach atomowych. Badano kwantowanie przewodności obu rodzajów. W wielu eksperymentach przeprowadzonych w Politechnice Poznańskiej z nanodrutami meta- licznymi potwierdzono zjawisko kwantowania przewodności elektrycznej.

EN

In the paper one described investigations on electrical and thermal conductance of nanostructures - the objects with atomic sized. In particular the quantization of both electrical and thermal conductance was investigated. In many experiments in Poznan University of Technology quantization of electrical conductance was confirmed.

5

Bonding technologies for 3D-packaging

Wolter K. J., Meier K., Saettler P., Panchenko I., Froemmig M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 4

9-14

EN

Electronics System Integration by System in Package improves the performance, reduces the size, power and cost of electronic systems. Three dimensional Systems in Package are a new way for integrating functional blocks in vertical structures. This implementation leads to shorter signal and power interconnects and this results in lower propagation delay and power consumption. The paper will introduce the 3D-integration technologies and present bonding technologies for Package-on-Package (PoP) and Die-to-Wafer 3D-technologies. Results of our research group on "Highly Reliable 3D-Microsystems" in the field of reliable solder interconnections, through-silicon-via (TSV) technologies, self-alignment approaches for die stacking, die-to-die bonding by Cu/Sn solid-liquid-interdiffusion (SLID) technology and the application of Ag-nanowire arrays for anisotropic conductive adhesives will be demonstrated.

PL

Technologia Integracji Systemów Elektroniki przez metodę System w Pakiecie poprawia wydajność, zmniejsza wielkość, moc i koszt systemów elektronicznych. Trójwymiarowe Systemy w Pakiecie to nowy sposób na zintegrowanie funkcjonalnych bloków w struktury pionowe. Implementacja ta prowadzi do krótszego sygnału i mocy połączeń, a to prowadzi do zmniejszenia opóźnienia propagacji i zużycia energii. W tym artykule przedstawione zostanie wprowadzenie do tematu integracji technologii 3D i bondingu dla technologii 3D typu Package-on-Package (PoP) oraz Die-to-Wafer. Omówione zostaną wyniki dotyczące "Wysoce Niezawodnych Mikrosystemów 3D" w zakresie wiarygodnego lutowania połączeń, technologii przelotek wewnętrz krzemu (TSV), samowyrównywania stosu, bondingu die-to-die poprzez interdyfuzje Cu/Sn (SLID) oraz zastosowanie srebrnych nanorurek dla anizotropowo przewodzących klejów.

6

Symulacja obwodu z kwantowaną przewodnością

Michalak S.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2007

|

R. 53, nr 9 bis

86--88

PL

W pracy przedstawiono model kwantowanej przewodności zrealizowany w środowisku symulacyjnym APLAC. Model kwantowanej przewodności oparty został na istniejących w programie modelach rezystora oraz przełącznika. Wykorzystano właściwości tych modeli odpowiednio modyfikując wartości ich parametrów tak, aby uzyskać efekt rozwierania styków i powstawania nanodrutów, oraz odwzorować zjawisko skokowej zmiany rezystancji (kwantowa zmiany przewodności). Przedstawiono wyniki symulacji komputerowej obwodu z zamodelowanym elementem zestyku o charakterze nanodrutu. Analizowano warunki zmiany charakteru układu pomiarowego z aperiodycznego w oscylacyjny.

EN

In this paper APLAC user model of quantized conductance was described. This model is based on resistor model and switch model included in APLAC. Proprieties of these models were modified to get an unshort contacts effect and simulate creating nanowire effect to show phenomenon quantum conductance. The simulation results of circuit with model of quantum conductance were described. Used model simulate quantum conductance effect, which can be observed between two metal wires during unclenching. Conditions of creating periodic and non-periodic character of circuit were studied.

7

Challenges for 10 nm MOSFET process integration

Östling M., Malm B. G., Haartman M., Hallstedt J., Zhang Z., Hellström P. E., Zhang S.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 2

25-32

EN

An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.

8

Symulacja stanów przejściowych w obwodach z kwantową przewodnością

Michalak S., Pająkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 5

12-14

PL

Przedstawiono wyniki symulacji komputerowej obwodu z modelem elementu zestyku o charakterze nanodrutu. Model zestyku cechuje kwantowa zmiana przewodności, co odzwierciedla efekt występujący w tworzącym się nanodrucie w trakcie rozwierania styku dwóch metali. Analizowano warunki zmiany charakteru obwodu z aperiodycznego w oscylacyjny.

EN

In this paper the simulation results of circuit with model of quantum conductance were described. Used model simulate quantum conductance effect, which can be observed between two metal wires during unclenching. Conditions of creating periodic and non-periodic character of circuit were studied.

9

Model przewodności kwantowej w programie APLAC

Michalak S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 5

36-38

PL

Przedstawiono model przewodności kwantowej zrealizowany w środowisku symulacyjnym APLAC przy zastosowaniu istniejących w programie modeli rezystora oraz przełącznika. Wykorzystano właściwości tych modeli odpowiednio modyfikując wartości ich parametrów tak, aby uzyskać efekt rozwierania styków i powstawania nanodrutów oraz odwzorować zjawisko skokowej zmiany rezystancji (kwantowej zmiany przewodności).

EN

In this paper APLAC user model of quantum conductance was described. This model is based on resistor model and switch model included in APLAC. Proprieties of these models were mpdified to get an un-short contacts effect and simulate creating nanowire effect to show phenomenon quantum conductance.