Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analiza profilowa SIMS półprzewodnikowych struktur laserowych

Ćwil M., Konarski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

29-31

PL

Zaprezentowano analizy profilowe struktur laserowych otrzymanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie. Analizy profilowe wykonano metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS), stosując aparaturę SAJW-05 wyposażoną w kwadrupolowy spektrometr mas oraz wyrzutnię jonów Ar⁺. Stosowano wiązki jonów o energiach 880...5000 eV i różnych kątach padania. Badanie warstwy o grubości 8 nm zawierającej ind, na głębokości 1,59 µm struktury, pozwoliło na uzyskanie głębokościowej zdolności rozdzielczej 7 nm.

EN

Secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analyses of laser structures grown with the use of molecular beam epitaxy (MBE) were performed on SAJW-05 analyzer equipped with quadrupole mass analyzer and electron bombardment ion gun. Argon ion beams of energies 880 eV and 5 keV and various incidence angles were performed. 8 nm thick indium reach layer buried at a depth ot 1.59 µm of a structure resulted in depth profile resolution of 7 nm.

2

Badanie nanostruktur warstwowych InAlGaAs/AlGaAs/GaAs, metodą SIMS przy stosowaniu wiązki jonów o ultra-niskiej energii

Konarski P., Ćwil M., Zaremba M., Radziewicz D., Ściana B., Kozłowski J.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2004

|

nr 150

160--171

PL

Przeprowadzono analizę profilową nanostruktur warstwowych wytworzonych metodą epitaksji z fazy gazowej związków metalo-organicznych (ang. MOVPE). Do analizy zastosowano spektrometrię mas jonów wtórnych (SIMS) - wykorzystano wiązkę jonów o ultra niskiej energii. Badanymi układami były wielokrotne studnie kwantowe (ang. MQW) składające się ze związków InAlGaAs, AlGaAs oraz GaAs. Struktury naniesione były na podłoże GaAs i składały się z buforu 150 - 500 nm GaAs, rejonu studni kwantowych oraz warstwy przykrywającej 50-70 nm GaAs. Rejon studni kwantowych jest trzywarstwową strukturą okresową składającą się z warstw InxAlyGai1-x-yAs o grubości 4,5 - 9 nm oraz warstw GaAs lub AlzGa1-zAs o grubości 30 nm. Analizy profilowe SIMS przeprowadzono stosując wiązkę jonów Ar+ o energii 880 e V i na granicy warstw GaAs/InAlGaAs układu wielokrotnych studni kwantowych uzyskano głębokościową zdolność rozdzielczą (16%-84%) ok. 3 nm. Porównanie wyników SIMS z wynikami uzyskanymi metodą wysokorozdzielczej dyfrakcji promieniowania X (ang. HRXRD) pozwoliło na pomiar grubości poszczególnych warstw badanych struktur a także na pomiar molowej zawartości indu w czteroskładnikowym związku InAlGaAs.

EN

Ultra-low energy secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis was performed on metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown structures. The layered systems are multi-quantum well (MQW) structures composed of InAlGaAs, AlGaAs and GaAs. The structures typically consisted of GaAs substrate, 150 - 500 nm GaAs buffer, MQW region and 50 - 70 nm GaAs cap layer. The MQW is a 3-layer period superlattice made of 4.5 - 9 nm thick InxAlyGa1-x-yAs layers and 30 nm thick GaAs or AlzGa1-zAs layers. SIMS analyses performed with the use of 880 eV Ar+ ion beam give depth profile resolution (16%-84%) of ~3 nm measured at GaAs/InAlGaAs interface of MQW structure. Comparison of SIMS data with high resolution X-ray diffraction (HRXRD) allows to measure thickness of particular layers in the studied structures as well as indium molar fraction in quaternary compound InAlGaAs.

3

Analiza profilowa SIMS w zastosowaniu do badań nanostruktur warstwowych

Konarski P., Ćwil M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 6

10-13

PL

Przedstawiono aparaturę badawczą SAJW-05 przeznaczoną do analizy profilowej struktur warstwowych metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS) oraz przykładowe wyniki jej zastosowania do analizy różnorodnych struktur warstwowych. Badano struktury: lasera półprzewodnikowego InAlGaAs/GaAs o grubości warstw 3,7 um, otrzymaną metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), wielowarstwową nanostrukturę B₄C/Mo/Si o grubości warstw 20 nm, otrzymaną metodą naparowania chemicznego (CVD), a także warstwy ochronne TiN i CrN nanoszone metodą plazmową na powierzchnię stali. Zaprezentowano wyniki uzyskane przy różnych parametrach wiązki trawiącej.

EN

Research instrument SAJW-05 designed for secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis is presented together with the examples of its application. Analysed layered systems were: semiconductor laser structure InAlGaAs/GaAs of total thickness 3.7 um obtained by molecular beam epitaxy (MBE) multilayer nanostructure B₄C/Mo/Si of total thickness 20 nm obtained by chemical vapour deposition (CVD) and Ti-Cr-N coatings on steel formed by condensation method from a plasma phase. Depth profile analyses were performed using different sputtering conditions. Ultra-low energy bombardment of B₄C/Mo/Si structure resulted in subnanometer depth profile resolution.