Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Ekielski M., Juchniewcz M., Piotrowska A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 10

57-60

PL

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2.

EN

Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented.

2

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Wzorek M., Piotrowska A., Kolkovsky V., Żytkiewicz Z., Gruszka M., Kucharski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

16-19

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na próbkach objętościowego azotku galu (Ammono) oraz warstwach epitaksjalnych na podłożach szafirowych (TopGaN) oraz krzemowym (111) (IF PAN). W eksperymencie zbadano wpływ warunków trawienia; przepływu BCI₃/CI₂, mocy RF oraz ICP, ciśnienia, jak i temperatury na jakość wzorów uzyskiwanych w GaN.

EN

The paper presents results of research on the fabrication of periodic structures in gallium nitride using nanoimprint technique and high density plasma etching. Polymer stamps made by nanoimprint technique using UV and thermal mode were used. The matrix for stamps were prepared with laser lithography technique and focused ion beam etching. The study was carried out on samples of bulk gallium nitride (Ammono) and epitaxial layers on sapphire substrates (TopGaN) and silicon substrates (111) (IF PAN). Influence of etching conditions: BCI₃/CI₂ flow, ICP and RF power, pressure and temperature on the quality of patterns obtained in GaN were investigated.

3

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

95-97

PL

Przeprowadzono badania mające na celu zoptymalizowanie parametrów procesu nanostemplowania w zastosowaniu do wytwarzania periodycznych wzorów pasków o wymiarach 200 nm. W eksperymencie posłużono się stemplem krzemowym wykonanym technikami litografii laserowej trawienia jonowego oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na podłożach krzemowych (100) o wymiarach 1x1 cm pokrytych warstwą rezystu mr-I 7020E o grubości 215 nm. W rezultacie otrzymano wzór pasków o głębokości równej 210 nm, co oznacza, iż grubość warstwy resztkowej wyniosła 5 nm.

EN

Optimization of NIL process parameters for fabrication of 200 nm periodic stripes pattern was carried out. In our experiment silicon stamp made by means of laser lithography. reactive ion etching on focused ion beam was used. As a substrate, (100) Si with dimensions of 1x1 cm² coated with mr-I 7020E resist with thickness of 215 nm was used. In result, stripes pattern with 210 nm depth was achieved. what indicates that residual layer thickness was equal 5 nm.

4

Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania

Ekielski M., Juchniewicz M., Pasternak I., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

106-108

PL

Praca prezentuje wyniki dotyczące wytwarzania submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania. Eksperyment przeprowadzono na 3" podłożach krzemowych oraz 5×5 mm podłożach kwarcowych. Zaprezentowano dwa warianty techniki nanostemplowania tj. termiczny i UV oraz omówiono podstawowe parametry charakteryzujące jakość odwzorowania.

EN

We report on submicrometer pattern fabrication using nanoimprint lithography. The experiments were performed on 3" silicon and 5×5 mm quartz substrates. We demonstrate two modes of nanoimprint lithography i.e. thermal and UV, and discuss the parameters determining the quality of pattern replication.