Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Fabrication of computer generated holograms using hot embossing nano imprint lithography

Rojek A., Kowalik A., Podgórski J.

Materiały Elektroniczne

|

2018

|

T.46, nr 1-4

3--7

EN

The article presents the investigation to develop a technology for fabricating micro-and nanostructures of a high dimensional precision using the processes of Hot Embossing Nano Imprint Lithography. The research was carried out for three thermoplastic polymers, i.e. poly(methyl methacrylate), olefin copolymer and polycarbonate in order. The process parameters and pattern correction coefficients for shrinkage compensation have been determined. The accuracy better than 1.25 x 10-3 % has been reached for the pattern replicated onto olefin copolymer substrates.

PL

W artykule przedstawiono technologię wytwarzania kopii (replik) mikro- i nanostruktur o dużej precyzji wymiarowej w procesach tłoczenia na gorąco (Hot Embossing Nano Imprint Lithography). Badania prowadzono dla trzech polimerów termoplastycznych - polimetakrylanu metylu, kopolimeru olefinowego oraz poliwęglanu. określono warunki procesów i współczynniki korekty wzorów kompensujące skurcz towarzyszący kopiowaniu struktur. Uzyskano repliki, dla których względny błąd wymiarów poprzecznych wynosił poniżej 1.25 x 10-3 %.

2

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Ekielski M., Juchniewcz M., Piotrowska A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 10

57-60

PL

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2.

EN

Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented.

3

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Wzorek M., Piotrowska A., Kolkovsky V., Żytkiewicz Z., Gruszka M., Kucharski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

16-19

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na próbkach objętościowego azotku galu (Ammono) oraz warstwach epitaksjalnych na podłożach szafirowych (TopGaN) oraz krzemowym (111) (IF PAN). W eksperymencie zbadano wpływ warunków trawienia; przepływu BCI₃/CI₂, mocy RF oraz ICP, ciśnienia, jak i temperatury na jakość wzorów uzyskiwanych w GaN.

EN

The paper presents results of research on the fabrication of periodic structures in gallium nitride using nanoimprint technique and high density plasma etching. Polymer stamps made by nanoimprint technique using UV and thermal mode were used. The matrix for stamps were prepared with laser lithography technique and focused ion beam etching. The study was carried out on samples of bulk gallium nitride (Ammono) and epitaxial layers on sapphire substrates (TopGaN) and silicon substrates (111) (IF PAN). Influence of etching conditions: BCI₃/CI₂ flow, ICP and RF power, pressure and temperature on the quality of patterns obtained in GaN were investigated.

4

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

95-97

PL

Przeprowadzono badania mające na celu zoptymalizowanie parametrów procesu nanostemplowania w zastosowaniu do wytwarzania periodycznych wzorów pasków o wymiarach 200 nm. W eksperymencie posłużono się stemplem krzemowym wykonanym technikami litografii laserowej trawienia jonowego oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na podłożach krzemowych (100) o wymiarach 1x1 cm pokrytych warstwą rezystu mr-I 7020E o grubości 215 nm. W rezultacie otrzymano wzór pasków o głębokości równej 210 nm, co oznacza, iż grubość warstwy resztkowej wyniosła 5 nm.

EN

Optimization of NIL process parameters for fabrication of 200 nm periodic stripes pattern was carried out. In our experiment silicon stamp made by means of laser lithography. reactive ion etching on focused ion beam was used. As a substrate, (100) Si with dimensions of 1x1 cm² coated with mr-I 7020E resist with thickness of 215 nm was used. In result, stripes pattern with 210 nm depth was achieved. what indicates that residual layer thickness was equal 5 nm.

5

A review of monitoring for nanoimprinting

Hocheng H., Nien C. C.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2007

|

Vol. 24, nr 1

382-389

EN

Purpose: This article provides an overview of the monitoring technique for nanoimprint. Optical and electrical monitoring approaches that have the potential for detecting and monitoring mold deformation and cavity filling in nanoimprint will be reviewed. The major part is devoted to the review of an in-situ mold filling monitoring system based on capacitance measurement for nanoimprinting operations. Design/methodology/approach: In carrying out the capacitive monitoring method, a broad range of areas including tuning the imprint process, designing a reliable capacitive sensor, finding out the right materials and a suitable surface micromachining process for sensing electrodes, and data analysis have seen covered. In addition, to measure the continuous variations in capacitance, a series of imprinting experiments have been performed isothermally, and the capacitance values have also been measured at various imprinting stages. Findings: The final stage of mold filling near the end, which is of particular interest, can be monitored and the experimental results have demonstrated that the capacitance measurements indeed provide the in-situ information that can tell the mold filling status during nanoimprinting. Research limitations/implications: The use of neural networks to model the functional relationship between the capacitance value and the rising height of mold filling is recommended as another potential area for future research to realize the ultimate objective of providing online real-time mold filling information for imprinting process control. Practical implications: Throughout the study, the authors conclude the proposed capacitance measurement technique is a promising approach for monitoring mold filling in nanoimprinting process, and the practical application of the conducted research is feassible with certain improvement of the robustness of the monitoring technique in harsh environment of higher imprinting temperature. Originality/value: The reviewed monitoring methods are based on the authors' approved and pending patents. They are considered pioneering works for the research community of nanoimprint techniques and as the basis of making nanoimprint process automated.