Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  nanoelectronics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Podczas gdy pierwsza połowa dwudziestego wieku zdominowana była przez dwie kolejne wojny światowe, rewolucje, zmiany granic i tworzenie nowego ładu politycznego - druga połowa stanowiła okres niesłychanie intensywnego rozwoju technologicznego w tym mikroelektroniki. Produkcja światowego przemysłu półprzewodnikowego startując od zera w połowie wieku dwudziestego osiągnęła w roku 2004 poziom 250 mld euro. W Polsce okres ten zbiegł się z kryzysem ekonomiczno-politycznym zakończonym bezkrwawą rewolucją roku 1989. W efekcie, podejmowane w kraju próby rozwijania nowoczesnych technologii mikro- a później nanoelektronicznych okazały się bezskuteczne. W artykule, na tle historycznym oraz w oparciu o realia dnia dzisiejszego, podjęta została analiza znaczenia i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce. Wymienione są zaistniałe bariery i zagrożenia wynikające z niskiego poziomu finansowania sfery B+R, ze zbiurokratyzowania instytucji państwowych odpowiedzialnych za finansowanie badań a także z braku rozsądnej strategii.
EN
While the first half of the 20 th century was dominated by two world wars, revolutions, changes of borders, and the creation of a new political order - the second half was a period of extremely intensive development of microelectronics. The global market of semiconductor industry, starting from scratch in the fifties, reached in 2004 level of 250 billion euros. In Poland, this period coincided with the economic and political crisis ended a blood - less revolution in 1989. As a result, the attempts to develop new technologies in Poland proved to be ineffective. In this paper, an analysis of the importance and determinants of technological development of micro-and nano-electronics in Poland is performed based on the realities of today shown in the wide historical background. The author identifies barriers and risks as linked with low levels of R&D funding together with the bureaucracy of state institutions responsible for research funding and the absence of a reasonable strategy of development.
2
Content available Simulation of coulomb-coupled, protein-based logic
EN
In this theoretical work, I investigate photoswitchable proteins as possible building blocks of computing, and signal processing architectures of the future. Coulomb-coupled, photon-pulse controlled macromolecular arrays are proposed and explored with the aid of a simple, mixed quantum-classical, nanoelectromechanical model. I show chains for digital signal propagation, and possibly universal logic gates, therefore computing architectures can be constructed from such proteins. Furthermore, I explore the basic molecular properties needed for their realization, and I show that photoswitchable proteins are possible candidates for this purpose.
PL
Zawarto próbę naszkicowania ewolucji elektroniki. Szczególnie opisano kierunek zmian w budowie tranzystora, zmierzający do zwiększenia jego częstotliwości pracy i redukcji strat energii. Zarysowano parametry konstrukcyjne współczesnych systemów scalonych i nakreślono przypuszczenia co do ich zmian w najbliższej przyszłości.
EN
In the paper a sketch of electronics evolution is included. Particularly, a direction of transistor construction changes leads to improvement of its frequency and power losses reduction is under consideration. Technical parameters of contemporary integrated circuits are presented. The author takes a risk of assumption the parameters changes in the nearest future.
PL
Przyrządy półprzewodnikowe oparte na zjawiskach fizycznych występujących w strukturach o wymiarach nanometrów, znane jako przyrządy kwantowe znajdują coraz więcej praktycznych zastosowań zarówno w układach analogowych wielkiej częstotliwości, jak i układach cyfrowych o bardzo krótkich czasach przełączania. Artykuł niniejszy poświęcony jest omówieniu aktualnych tendencji rozwoju układów logicznych, stanowiących podstawą techniki cyfrowej, wykonywanych przy wykorzystaniu najnowszych osiągnięć nanoelektroniki. Szerzej zostały przedstawione układy z przyrządami typu SET (Single Electron Device) oraz typu RTD (Resonant Tunneling Devices).
EN
In order to continue the miniaturization of circuit elements down to the nanometer scale researches are investigating several alternatives to the CMOS IC for ultra dense and ultra high-speed circuits. These new nanometer-scale electronic devices perform both switches and amplifiers just like today's transistors. However, unlike today's MOSFETs, which operate based on the movement of masses of electrons in bulk semiconductor, the new devices take advantage of quantum mechanical phenomena that emerge on the nanometer scale, including the discreteness of electrons. There are several promising ideas to implement nanoelectronic devices. The most current ones are: resonant tunneling devices and single-electron-transistors. The fundamental physical principle of single-electron devices is the Coulomb-blockade resulting from the quantization of the elementary charge in insulated node of a double-junction structure. Resonant tunneling devices are based on electron transport via discrete energy levels in quantum-well structures. An introduction to this new field of electronic one can find in [6] and [7]. In this paper some more information are given concerning the quantum devices application in the logic circuits and systems. It is expected that in nanoelectronic systems the building blocks with an increased functionality with the extension of conventional Boolean gates, linear threshold networks, and multiple-valued logic will be used.
5
Content available remote Miniaturisation : enabling technology for the new millennium
EN
The history of semiconductor devices has been characterised by a constant drive towards lower dimensions in order to increase integration density, system functionality and performance. However, this is still far from being comparable with the performance of natural systems such as human brain. The challenges facing semiconductor technologies in the millennium will be to move towards miniaturisation.The influence of this trend on the quantum sensing of infrared radiation is one example that is elaborated here. A new generation of infrared detectors has been developed by growing layers of different semiconductors with nanometer thicknesses. The resulted bandgap engineered semiconductor has superior performance compared to the bulk material. to enhance this technology further; we plan to move from quantum wells to quantum wire and quantum dots.
PL
W szybko rozwijającej się dziedzinie nanoelektroniki dominujące miejsce zajmują przyrządy półprzewodnikowe jednoelektronowe (ang. Single Electron Devices). W artykule przedstawiono podstawy fizyczne tych przyrządów oraz omówiono niektóre z ich zastosowań, takich jak systemy pamięci o pojemnościach rzędu giga — tera bitów. Zwrócono również uwagę na problemy modelowania i tworzenia makromodeli dla celów CAD.
EN
Single-electron devices in which the addition of a small number of electrons to cm eiectrode can be controlled with one-electron precision by using the charging effed have recently achieved much attention. In the paper a short rewiew of the latest works hi this field has been done. The physical phenomenon of the Coulomb blockade in the quantum dots and islands have been explained. Some esampies of the cwrent-voltage characteristics are demonstrated and the main modeling and macro-modeling problems for CAD discussed.
PL
Postęp w technologii elektronowej pozwala obecnie na realizacją przyrządów półprzewodnikowych i innych elementów elektronowych o wymiarach rządu kilkudziesięciu nanometrów, wymiarach zbliżonych do stałych sieci krystalicznej półprzewodników. Przy tak małych wymiarach konieczne jest uwzględnienie zjawisk kwantowych i falowych poszczególnych elektronów. W artykule omówiono zasadnicze trzy kierunki rozwoju przyrządów elektronowych skali nanometrowej: skalowane struktury CMOS o specjalnych rozwiązaniach, przyrządy półprzewodnikowe typu RTD (ang.Resonant Tunneling Devices) oraz przyrządy molekularne.
EN
This paper gives some glimpses on the research developments toward nanometer-scale electronics. The possible extensions and applications of CMOS technology in the nanometer regime is first discussed. CMOS technology is the predominant over the last 25 years in the microelectronics industry. The concept of scaling the MOS device has been applied over many technology generations, resulting in both density and performance. However, the lows of quantum mechanics and the limitations of fabrication techniques may soon prevent farther reduction in the size of today's conventional MOS structure. In order to continue the miniaturisation of circuit elements down to the nanometer scale new classes of nanometer-scale devices are investigated. The main classes are: a) resonant tunnelling devices and 2) molecular electronics devices. Both are briefly discussed and final conclusions are given..
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.