Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: multiply charged impurity

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range

Vorobey R. I., Gusev O. K., Tyavlovsky A. K., Tyavlovsky K. L., Svistun A. I., Shadurskaya L. I., Yarzhembitskaya N. V, Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 5

75--78

Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.

Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloładunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą.