The world economy needs new breakthrough in the technological and material efficiency and costs in the manufactured solar cells. The authors present new studies on triple junction photo voltaic structures using nano-technological solutions. The system of the amorphous a-Si:H sandwich with the scattered light particles, the plasmonic nano Si in the a-Si:H matrix structure and the silicon-germanium sandwich on the multi ZnO layer electrode- reflector was made and studied in detail.
W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.
EN
In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.