Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Archives of Metallurgy and Materials

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: multi reflection profile analysis

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Quantification of nanocrystallization by means of X-ray line profile analysis

Zehetbauer M. J., Schafler E., Ungar T.

Archives of Metallurgy and Materials

2005

Vol. 50, iss. 2

515-533

In crystalline materials the structural scale reaches submicron or even nanometer sizes when plastic deformation is sustained up to very high strains, low deformation temperatures and/or extended hydrostatic pressure. In order to find out the mechanisms of crystal fragmentation, X-ray Line Profile Analysis (XPA) can provide a number of important parameters which are not (or only scarcely) available by other methods such as TEM and residual electrical resistivity. These are the density, arrangement and type of dislocations, and the internal stresses which all can be determined even in case of very large strains and high contents of alloying atoms. Extending XPA to profiles at high order diffraction (Multi Reflection Profile Analysis, MXPA) it is possible to carefully separate strain broadening from size broadening. This is particularly important when the nanomaterials reveal grain sizes smaller than 100 nm, when the size broadening gets similarly high than strain broadening from plastic deformation. In dislocated metals, the dislocation contrast has to be taken into account for a correct evaluation of grain size which reduces to the coherently scattering domain size in case of nanocrystallization due to plastic deformation, namely SPD. When using highly intense Synchrotron radiation, a maximum in spatial and even time resolution is reached enabling in-situ measurements during deformation of the parameters quoted.

W materiałach polikrystalicznych bardzo silnie odkształconych plastycznie przy niskich temperaturach i w warunkach ciśnienia hydrostatycznego, skala badań strukturalnych osiąga rozmiary sub- lub nanometryczne. Analiza profilu linii rentgenowskiej (XPA) może dostarczyć wielu ważnych informacji o mechanizmach fragmentacji kryształów, nieosiągalnych w ogóle (lub tylko w ograniczonym zakresie) innymi metodami, jak np. TEM czy elektryczna oporność własciwa. Nawet w przypadku bardzo dużych odkształceń i dużej zawartości dodatków stopowych, możliwe jest określenie gęstosci i typu dyslokacji sieciowych oraz naprężeń własnych. Rozszerzajac analizę XPA na odbicia dyfrakcyjne wyższych rzędów (Multi Reflection Profile Analysis, MXPA) możliwe jest rozdzielenie wpływu odkształcenia oraz rozdrobnienia ziarna na poszerzenie profilu. Jest to szczególnie ważne w przypadku nanomateriałów cechujących się rozmiarem ziaren mniejszym niż 100 nm, kiedy to wpływ rozdrobnienia ziarna na poszerzenie profilu staje się porównywalny z wpływem deformacji plastycznej. W materiałach o dużej gęstosci dyslokacji (np. po procesie SPD), poprawna ocena wielkości ziarna wymaga uwzglednienia kontrastu dyslokacyjnego, który redukuje ją do rozmiaru obszarów spójnego rozpraszania. Stosując intensywne promieniowanie synchrotronowe, można osiągnąć znaczną rozdzielczość przestrzenną oraz czasową, co pozwala na pomiary in-situ podczas dkształcenia, a tym samym umożliwia ocenę parametrów deformacji.