Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Czochralski growth of SrLaAlO4 and SrLaGaO 4 single crystals and its implications for the crystal morphology

Pajaczkowska A., Gloubokov A., Klos A., Woensdregt C. F.

Zeszyty Historyczne Politechniki Warszawskiej

|

2014

|

z. 16

85--89

EN

Single crystals of SrLaAlO4 (SLA) and SrLaGaO4 (SLG) have been grown from nonstoichiometric melts by the Czochralski method making use of different seed orientations, [100] (SLA, SLG), [110] (SLA) and [001] (SLG). The anisotropic properties of the crystal structure are reflected in the growth morphology of the crystals. In the case of (SLA) {101} facets appear at the crystal/melt interface and in that of [100] SLG {101} and {103} facets occur, while for [001] SLG {001} and {103} facets are present. SLA crystals are very similar to the theoretical growth forms computed according to the Hartman-Perdok theory for models with an effective charge on oxygen, qO −2|e|. However the habit of SLG crystals corresponds better to the theoretical growth forms based on an effective charge qO = −1.5|e| due to the presence of oxygen vacancies.

2

Analysis of the processes of silicon epitaxial lateral overgrowth in Ar ambient gas

Jóźwik I., Olchowik J. M.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

967--973

EN

Liquid phase epitaxy (LPE) and, in particular, epitaxial lateral overgrowth (ELO) is an attractive method of thin film deposition, owing to the simplicity of its technology and a reduced growth temperature. In this paper, we present recent results of the ELO of silicon layers carried out by means of LPE using Ar as an ambient gas, without any addition of hydrogen, potentially explosive gas, which makes this deposition technique a very safe process. The aim of the this work focused on the silicon ELO growth on partially masked substrates was to determine optimal conditions of growth resulting in ELO layers of the maximum aspect ratio and minimum defect density. Data presented herein clearly show that the epitaxial layers characterized by the maximum value of the aspect ratio can be obtained by application of the 0.25°C/min cooling rate. Noteworthy is the fact that in the same conditions the defect density achieves the minimum value of 1.07×104 cm-2, which is the amount smaller by the factor of 10 than the defect density of Si substrates used (1.7×105 cm-2). It confirms the ELO technique as a promising tool for the fabrication of low-defect density silicon layers of good morphology.

3

On the interrelation between crystal morphology and its geometry

Prywer J.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2003

|

Vol. 23

43-57

EN

The morphological variety of crystal habits is due to differences in relative growth rates of faces of which the crystal is composed. However, if the faces grow equally fast, the sizes of faces are not the same. The sizes of faces, in such a case, are determined by crystal geometry represented by interfacial angles. The largest crystal faces are those, which form interfacial angles α + γ close to Π. The results show that the crystal geometry plays a big role, bigger than it was thought so far, in the formation of final crystal habit.

PL

Zróżnicowanie morfologiczne kryształu jest funkcją względnych prędkości wzrostu ścian, które tworzą ten kryształ. W przypadku, gdy wszystkie ściany rosną jednakowo szybko, wielkości poszczególnych ścian nie są takie same i zależą od kątów dwuściennych, czyli od geometrii kryształu. W takim przypadku ścianami morfologicznie najważniejszymi są ściany, dla których suma kątów dwuściennych α + γ jest bliska Π. Jeśli ściany kryształu rosną z różnymi prędkościami, ścianami najważniejszymi morfologicznie nie zawsze są ściany wolno rosnące. Ściany, dla których suma kątów dwuściennych α + γ jest bliska Π mogą istnieć w pokroju nawet, jeśli rosną szybciej niż ściany sąsiednie. Natomiast ściany, które rosną wolniej od jednej ze ścian sąsiednich mogą nie pojawiać się w pokroju w ogóle. Wyniki przedstawionej w pracy analizy wskazują, że ścianami tworzącymi kryształ nie koniecznie muszą być ściany wolno rosnące oraz, że geometria kryształu odgrywa ważną rolę w kształtowaniu się ich morfologii.

4

Wpływ morfologii kryształów ß-CaSO4.1/2H20 na stabilność właściwości technologicznych gipsu budowlanego

Pichniarczyk P., Malata G.

Cement Wapno Beton

|

2001

|

R. 6/68, nr 6

239-242

PL

Przedstawiono wpływ morfologii kryształów CaS04.1/2H20 na stabilność w czasie takich właściwości spoiw gipsowych jak zawartość wilgoci, współczynnik wodno-gipsowy oraz początek i koniec wiązania. Przeprowadzone badania wykazały wpływ obróbki mechanicznej ziaren na stabilność właściwości technologicznych spoiwa gipsowego. Stwierdzono, że stałość w czasie właściwości technologicznych domielanego gipsu budowlanego związana jest ze zmianami powierzchni właściwej i pokroju kryształów gipsu oraz obecnością sił elektrostatycznych na ich powierzchniach.

EN

The influence of morphology of CaS04.1/2H20 crystals on the stability in time of humidity content, water/gypsum ratio and setting time has been presented. The results of the study show connection between the mechanical treatment and the stability of technological properties of gypsum. These properties are related with grain surface, crystal forms and electrostatic forces.