Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC

Grasza K., Tymicki E., Orzyłowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 7

193-197

PL

Artykuł zawiera wyniki badań walidacyjnych stanowiska do monokrystalizacji węglika krzemu, Które miały na celu potwierdzenie przydatności stanowiska do prowadzenia badań technologicznych hodowli monokryształów SiC. Badania objęły możliwości otrzymywania kryształów o różnych politypach (4H-SIC, 6H-SiC) i jednorodności politypowej powyżej 90%. Zbadano możliwości uzyskania prędkości wzrostu rzędu 1,5 mm/h, a także możliwości wygrzewania podczas fazy studzenia. Wyniki badań były pozytywne.

EN

The paper describes the results of validation tests of the system for silicon carbide monocrystallization. The goal of the test was the confirmation of this system usefulness for technological research of SiC crystal growth. The tests concern the possibility of various polytypes (4H-SIC, 6H-SiC) of homogeneity larger than 90% growth. The possibility of 1.5 mm/h crystal growth rate and holding crystals at cooling temperature were tested also. The results of the tests are positive.

2

Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC

Orzyłowski M., Rudolf Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 7

150-154

PL

W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.

EN

The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.

3

System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC

Orzyłowski M., Łobodziński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 3

95-99

PL

Omówiono syntezę struktury układu regulacji pieca do monokrystalizacji SiC z dwusekcyjnym grzejnikiem grafitowym. Opisano etap modelowania matematycznego rozkładów pól temperatury w projektowanym piecu. W celu opracowania struktury układu regulacji posłużono się uproszczonym modelem pieca o stałych skupionych 6. rzędu. W wyniku analizy macierzy sterowania optymalnego dla tego modelu dokonano redukcji układu sterowania do suboptymalnej dwupętlowej postaci. Następnie oparto się na analizie transmitancji operatorowych, wartości własnych macierzy stanu oraz odpowiedzi czasowych układów ze sprzężeniem zwrotnym, a także na symulacji programowej regulacji pieca. Efektem badań jest koncepcja suboptymalnego układu regulacji temperatury pieca, zawierającego dwie niezależne pętle regulacji typu PID.

EN

The paper describes the synthesis of the control system structure of the furnace for SiC monocrystallization equipped with two-section graphite heater. The synthesis was done at the stage of mathematical modeling of temperature distribution in the furnace. For this purpose the simplified 6-th order lumped constant model of the furnace was used. As a result of the optimal control matrix analysis the reduction to the double-loop suboptimal control system was done. Then the analysis based on transfer functions, eigenvalues of state matrix, time step responses of the closed-loop systems and simulation of programmed control of the furnace was applied. As the final effect the conception of suboptimai double loop control system with PID controllers was worked out.

4

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

Łobodziński W., Orzyłowski M., Rudolf Z., Orzechowski Z., Kozłowski J., Wiechowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 12

70-74

PL

Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.

EN

The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.