Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Przemysłowe akceleratory elektronów i ich zastosowania w technologiach radiacyjnych zastosowanie technologii radiacyjnych do modyfikacji przyrządów półprzewodnikowych : wdrożenia przemysłowe

Bułka Sylwester

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2023

|

Vol. 64, Nr 9

21--24

PL

Modyfikacja przyrządów półprzewodnikowych wiązką przyśpieszo nych elektronów polega na skróceniu czasu życia nośników mniejszo ściowych. Aby uzyskać odpowiednie warunki dla tego procesu, wyso koenergetyczne elektrony wytwarzają szereg defektów w kryształach krzemu. Istotną kwestią doboru parametrów procesu napromieniowa nia jest uzyskanie kompromisu pomiędzy zmniejszającym się czasu życia nośników, co prowadzi do polepszania zdolności przełączania, a jednoczesnym wzrostem napięcia przewodzenia, co ogranicza po ziom dopuszczalnego prądu obciążenia. Technika obróbki radiacyjnej w porównaniu do dyfuzyjnego wprowadzania domieszek metalicznych w półprzewodnikach oferuje: precyzję, niezawodność i powtarzalność wymaganych parametrów. Precyzyjna kontrola koncentracji genero wanych defektów zapewnia bardziej jednorodną charakterystykę elektryczną. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych, takich jak diody Si i tranzystory MOSFET jest uznawane za jedną z innowa cyjnych metod, które można zastosować do pomiarów dozymetrycz nych wykonywanych w obszarze medycznym, a także w typowych systemach przemysłowych, gdzie dawka pochłonięta może waha się od 10 Gy do 50 kGy.

EN

Electron beam modification of semiconductor devices is based on the decrease of the lifetime of minority carriers after radiation treatment. To obtain suitable conditions for this process a number of defects are created in silicon crystals by high energy electrons. Certain irradiation conditions should be followed to obtain a com promise between decreasing carriers’ lifetime, which leads to the faster switching properties, but at the same time reduces load current level due to increase of the conduction voltage drop. The radiation processing technique, as compared to the introduction of metal impurities in semiconductors, offers: precision, reliabi lity and reproducibility of required properties. Precise control of the concentration of defects that are generated provides more uniform electrical characteristics. The irradiation process is very flexible and can be used for the processing of raw semiconductor components and for final products as well as for the improvement of the device properties. The use of semiconductor devices, like Si diodes and MOSFET transistors, are recognized as one of innova tive methods which can be used for dosimetry measurements as performed in the medical area, and also in typical industrial irra diators where the absorbed dose can range from 10 Gy to 50 kGy.

2

Przemysłowe akceleratory elektronów i ich zastosowania w technologiach radiacyjnych: zastosowanie technologii radiacyjnych do modyfikacji przyrządów półprzewodnikowych: informacje podstawowe

Bułka Sylwester

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2023

|

Vol. 64, Nr 7

29--33

PL

Zasadniczą konsekwencją napromieniowania przyrządów elektronicznych są radiacyjnie indukowane zmiany własności materiałów, które mogą zakłócić funkcjonowanie przyrządów elektronicznych z nich wykonanych. Efekty te są powiązane zarówno z właściwościami napromieniowanego materiału, jak i rodzajem promieniowania. Można również wykorzystywać efekty wywołane promieniowaniem w przyrządach elektronicznych w produkcji, do zamierzonych modyfikacji materiałów półprzewodnikowych i właściwości produktu końcowego. Przyspieszone elektrony, wiązki jonów, promienie rentgenowskie, kosmiczne i gamma przenoszą swoją energię, wyrzucając elektrony z powłok atomów, które następnie mogą jonizować inne atomy w materiale pochłaniającym. Niektóre parametry elementów elektronicznych, takie jak: duża szybkość przełączania lub ujednolicony współczynnik wzmocnienia można osiągnąć poprzez selektywne zastosowanie obróbki radiacyjnej. Proces napromieniowania tworzy pierwotne i wtórne defekty w krysztale i generuje efektywne centra rekombinacji dla nośników mniejszościowych, toteż promieniowanie o wysokiej energii może być dobrze wykorzystane przy wytwarzaniu diod dużej mocy i tyrystorów o zadanych właściwościach czasu regeneracji.

EN

The principal consequence of irradiation on electronic devices is radiation-induced effects of materials, which can disturb the functioning of the electronic devices made from these materials. These effects are related both to the properties of the irradiated material and to the type of irradiation. Radiation-induced effects can also be used in the manufacture of electronic devices for intended modification of semiconductor material and the properties of the final product. Accelerated electrons, ion beams, X-rays, cosmic rays and gamma rays transfer their energy by ejecting atomic electrons, which can then ionize other atoms in absorbing material. Some parameters for electronic devices, such as high switching speed or unified gain coefficient can be achieved by selective use of radiation processing. The irradiation process forms the primary and secondary defects in the crystalline structure, and creates the effective recombination centers for minority carriers, hence high-energy radiation can be well used in the production of high-power diodes and thyristors with given properties of switching time.

3

The mechanical characterization of composites based on polyoxymethylene and the effect of silicone addition on the mechanical behaviour of manufactured composites

Bazan P., Kuciel S.

Technical Transactions

|

2018

|

Vol. 115, iss. 4

149--158

EN

The mechanical properties of manufactured composites based on polyoxymethylene (Tarnoform 300) were determined. POM composites reinforced with ultra-high molecular weight silicon, thermoplastic polyurethane, and special chalk in order to reduce abrasiveness and aramid fibres were manufactured. The basic mechanical properties (tensile strength (σM), modulus of elasticity (Et), strain at break (εB), flexural modulus (Ef) and flexural stress at 3.5% strain (σs)) were evaluated at three temperatures -20, 20 and 80°C. The density and Charpy impact of the produced composites were examined. In order to make reference to the effects of reinforcement and determine the characteristics of their microstructure SEM, images were taken.

PL

Określono właściwości mechanicznych kompozytów na osnowie polioksymetylenu Tarnoform 300. Wytworzono kompozyty wzmocnione silikonem o ultrawysokiej masie cząsteczkowej, termoplastycznym poliuretanem, kredą obniżającą ścieralność oraz włóknem aramidowym. Wyznaczono podstawowe właściwości mechaniczne (wytrzymałość na rozciąganie (σM), moduł sprężystości przy rozciąganiu (Et), odkształcenie przy zerwaniu (εB), moduł sprężystości przy zginaniu (Ef) oraz naprężenie przy odkształceniu 3,5% (σs)) w trzech temperaturach -20, 20 and 80°C. Określono gęstość oraz udarność wg Charpy’ego dla wytworzonych kompozytów. W celu oceny efektów wzmocnienia i cech mikrostruktury wykonano mikrofotografie SEM.

4

Techniki modyfikacji chemicznej struktury powierzchni adsorbentów węglowych

Pietrowski P.

Przemysł Chemiczny

|

2012

|

T. 91, nr 4

594-597

PL

Modyfikacja charakteru chemicznego powierzchni materiałów węglowych (węgli aktywnych i włókien węglowych) stwarza możliwości otrzymywania materiałów adsorpcyjnych o dedykowanych, specyficznych właściwościach determinujących ich zastosowanie. Do modyfikacji składu chemicznego powierzchni sorbentów mogą być zastosowane metody wykorzystujące oddziaływanie kwasów i zasad, promieniowanie mikrofalowe, oddziaływanie ozonu oraz plazmy. W artykule dokonano przeglądu wybranych metod modyfikacji chemicznego składu powierzchni materiałów węglowych stosowanych do adsorpcji z fazy gazowej i ciekłej.

EN

A review, with 57 refs, of chem. and phys. methods for modification of C adsorbents.

5

Modyfikacja struktury i właściwości napoin wykonanych łukiem krytym

Górka J., Czupryński A., Kik T., Piotrowski M.

Przegląd Spawalnictwa

|

2011

|

R. 83, nr 10

28-33

PL

W artykule przedstawiono wyniki prób modyfikacji struktury i właściwości napoin wykonanych łukiem krytym spoiwem niskowęglowym przez wprowadzenie do jeziorka ciekłego metalu proszku metalicznego na osnowie niklu wraz ze zmienną zawartością AI2O3 oraz SiC. Określono wpływ parametrów napawania na wymiary geometryczne napoin oraz udział materiału rodzimego w napoinie. Wykonane napoiny proste oraz zakładkowe zostały poddane badaniom nieniszczącym, badaniom metalograficznym, pomiarom twardości, a także badaniom odporności na zużycie ścierne typu metal-minerał.

EN

The article presents the results of modification of structure and properties of submerged-arc surfacing padding welds. To modification is by the nickel-base flux with variable Al2O3 and SiC mass fraction addition into the arc weld pool. The process parameters influence on the geometrical dimensions of the padding weld and base material in the padding weld is observed. The simple and overlap padding welds have been non-destructive testing, metallographic examinations, hardness distribution measurements and resistance to abrasive wear of metal-mineral joints investigating.

6

Effect of modification on the mechanical properties of IN-713C alloy

Binczyk F., Śleziona J.

Archives of Foundry Engineering

|

2010

|

Vol. 10, iss. 1 spec.

195--198

EN

The results of studies on the effect of modification on macrostructure and mechanical properties (hardness, R02, Rm, elongation A5 and reduction of area Z) of IN-713C nickel alloy, examined on “carrot”- type specimens(1) were presented. One surface-volume modified melt and two volume-modified melts were made. As a reference, the results obtained on non-modified castings were used. A very beneficial effect of the combined surface-volume modification on alloy macrostructure (equiaxial crystals) and mechanical properties was reported. Volume modification produces mixed structure of columnar and equiaxial crystals. The efficiency of modification was additionally enhanced by application of filters made according to the authors’ genuine design. The inoculant used in these filters was cobalt aluminate CoAl2O4.

7

Modyfikowanie fizycznej struktury granul saletry amonowej do wytwarzania saletroli

Buczkowski D., Zygmunt B.

Przemysł Chemiczny

|

2008

|

T. 87, nr 6

707-710

8

Physical and technological preconditions of melting-crystallisation temperature stabilisation

Prokhorenko V., Prokhorenko S., Mudry S., Bylica A.

Archives of Materials Science and Engineering

|

2008

|

Vol. 32, nr 1

29-32

EN

Purpose: The precise temperature measurements need the using of temperature reference points - "temperature fixpoints" (TFP). The increase of measuring temperature interval and other reasons require of new TFP with high stability in different working conditions. On that reason the studying of liquid metals and metallic eutectic alloys has been carried out in this work. Design/methodology/approach: For experimental studies the physical properties measurements were used. Findings: Non-reproducibility of temperature fixpoints exist due to some reasons: no accounting the structural - thermodynamic state of melt; mass-heat processes are not enough taken into account. It is fixed, that the temperature fluctuations (and non-stability of crystallization plateau) are of two types: small fluctuations (up to (1-2) mK) are caused by phases (stages) of crystallization process; major fluctuations (at us: ±0,2K) crystallizations are caused convectional streams at the front. Fluctuations can be essentially reduced by approach to requirements of thermodynamic balance, but their complete elimination - is problematic. Research limitations/implications: The main parameters obtained from them are analysed. It is shown that melting-crystallization phase transition is influenced by structural state of melt and cooling condition. Practical implications: The results obtained here can be used in analysis of errors at high-precision temperature measurements and constructing of new temperature measuring and holding systems of high stability. Originality/value: The results of this study can be useful for researches in field of metrology, material science and physics of metals.