In this paper there was presented the brief overview of the semiconductor structures epitaxial growth including different modes of epitaxial growth and different epitaxial techniques. The modes of the growth which enable to fabricate semiconductor structures, both with almost perfect planar layers and with more advanced three dimensional objects, were discussed. Several techniques of growth of semiconductor materials and heterostructures were presented together with concise information about the advantages and disadvantages of each of them. Technological requirements which should be fulfilled in order to fabricate advanced semiconductor devices and few aspects of the epitaxai growth were talked over as well.
PL
W pracy przedstawiono podstawowe zagadnienia dotyczące epitaksji związków półprzewodnikowych, wliczając w to omówienie różnych modów epitaksjalnego wzrostu oraz różnych technik epitaksji. Omówione zostały mody epitaksjalnego wzrostu umożliwiające wytwarzanie struktur atomowo gładkich warstwa po warstwie oraz bardziej zaawansowanych struktur trójwymiarowych. Przedstawione zostały różne techniki epitaksji związków półprzewodnikowych wraz z krótką charakterystyką ich wad i zalet. Omówione zostały również wymagania technologiczne jakie muszą zostać spełnione w celu wytwarzania zaawansowanych przyrządów pół przewodnikowych.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.