PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  modulacja długości kanału
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS
Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 9
123-126
PL
Przeanalizowano wpływ uwzględnienia efektów krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, modulacja długości kanału, zwiększenie gęstości ładunku w kanale indukowane napięciem drenu) na dokładność modelowania charakterystyk prądowo-napięciowych dwubramkowego tranzystora MOS. Dokładność opracowanego modelu zweryfikowano na podstawie porównania z rezultatami symulacji numerycznych przeprowadzonych za pomocą programu ATLAS.
EN
The influence of incorporation of selected short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, channel-length modulation, drain-induced charge enhancement) on the accuracy of modeling the I-V characteristics of a DG MOSFET was analyzed. The accuracy of the developed model was verified by means of a comparison with ATLAS simulations.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.