Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2015

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: moduł N/O

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Perspektywy wytwarzania zintegrowanych modułów N/O z wykorzystaniem krajowej technologii GaN HEMT

Wojtasiak W., Gwarek W.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

2015

nr 6

639--643

Polski przemysł radiolokacyjny stoi przed wyzwaniem dotyczącym zasadniczej zmiany technologii. Dla utrzymania konkurencyjności nie tylko na rynku międzynarodowym, ale również krajowym, konieczny jest skok technologiczny co najmniej o dwie generacje. Istnieje potrzeba wdrożenia technologii dla wykonania zasadniczych elementów w formie monolitycznych układów scalonych. Przedstawiono kierunki światowe w produkcji modutów nadawczo-odbiorczych do zastosowań radiolokacyjnych, postępy prac nad krajową technologią GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN oraz perspektywy własnej produkcji modułów N/O o możliwie maksymalnej skali integracji.

Polish radar industry is facing a challenge of decisive change of technology. For maintaining its competitiveness not only at the international market but also at the national market it needs a disruptive change of technology by two generations. It will not be sufficient just to switch to semiconductor radars based on lumped active elements. The key elements must be manufactured in monolithic technologies. That kind of approach is nów morę realistic on the base of currently widely conducted research on GaN HEMT technologies on various substrates: sapphire, SiC and monolithic GaN. In the paper the intemational trends in the technology of T/R modules for radar application have been discussed. Some new research achievements in the area of GaN HEMT technology on monolithic GaN substrates have been presented. The possibilities of local production of T/R modules with highly advanced level of integration have been outlined.

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

Kuchta D., Wojtasiak W.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

109-112

Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.

One of the Pol-HEMT project aims is to implement the GaN HEMT structures in microwave circuits commonly used in T/R modules for radiolocation systems. In this paper project and experimental results of 1W L-band power amplifier with GaN PolHEMT structure are presented.