Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2017

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: modelowanie urządzeń półprzewodnikowych

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Current conveyor equation-defined macromodels for wideband RF circuit design

Brinson M., Kuznetsov V.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2017

Vol. 8, nr 2

65--71

A high percentage of analogue integrated circuit designs use voltage domain signal processing techniques. Given the fact that integrated circuit current conveyors are high bandwidth current processing devices, often with superior RF performance compared to comparable voltage domain devices, it is surprising that the number of current mode integrated circuits available, as standard of-the-shelf industrial items, is so small. This paper introduces equation-defined device and Verilog-A synthesis approaches to the macromodelling of current conveyor integrated circuits. To illustrate the proposed modelling techniques the properties of a number of modular behavioural level current conveyor macromodel cells are described and their performance compared. The material presented is intended for analogue device modellers and circuit designers who wish to simulate large signal current domain integrated circuit designs. It also demonstrates how synthesized Verilog-A modules can be derived from equation-defined device and conventional subcircuits to form functional, computationally efficient current conveyor macromodels. To illustrate the application of behavioural current conveyor macromodels the design of a six cell CCII+ instrumentation amplifier is introduced and its performance discussed.

Porównanie metod symulacji właściwości optycznych laserów VCSEL

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2017

Vol. 58, nr 9

37--40

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

This paper includes the results of calculation for arsenic VCSEL laser. The aim of this paper is to present the differences arising from the use of scalar and vector calculation methods. Discussed results demonstrate that the vectorial methods are more accurate than scalar method, but also more time consuming. The calculations were performed for structures of varying the radius of the aperture and its location along the resonant cavity. Moreover, tis paper includes the results of calculations for a structure in which there are layers of the gradually changing refractive index, and the structure in which these layers were replaced by the intermediate layer with a constant refractive index. The aim is also to show the differences in the results obtained for the above cases.