PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  modelowanie elementów elektronicznych
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Schwarz M., Calvet L. E., Snyde J. P., Krauss T., Schwalke U., Kloes A.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2017
|
Vol. 8, nr 2
72--79
EN
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
2
Content available Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Angelov G. V.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2012
|
Vol. 3, nr 3
111-118
EN
A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
3
Content available Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Angelov G. V.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2011
|
Vol. 2, nr 3
105-112
EN
A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
4
Możliwości zastosowania funkcji programu PSPICE do modelowania elementów półprzewodnikowych
Górecki K., Zarębski J.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2002
|
nr 1-2
17-20
5
Content available remote Wielkosygnałowy dynamiczny makromodel tranzystora Darlingtona mocy do analizy elektrotermicznych stanów przejściowych
Zarębski J., Górecki K.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2000
|
Vol. 46, nr 4
615-632
PL
W pracy zaproponowano wielkosygnałowy dynamiczny elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona mocy oraz algorytm wyznaczania wartości parametrów elektrycznych tego makromodelu. Zaproponowany w pracy makromodel sformułowano na bazie uprzednio opracowanego makromodelu stałoprądowego, uzupełnionego o elementy modelujące inercję elektryczną i termiczną. Zgodnie z zaproponowanym w pracy algorytmem estymacji wartości parametrów makromodelu, wartości te są obliczane na podstawie współrzędnych punktów pomiarowych, leżących na odpowiednich odcinkach izometrycznych charakterystyk dynamicznych badanego tranzystora, dla których słuszny jest uproszczony model lokalny, opisany za pomocą jednego lub kilku parametrów makromodelu. Rozważania teoretyczne zilustrowano zweryfikowanymi doświadczalnie wynikami symulacji nieizometrycznych charakterystyk dynamicznych prostego układu elektronicznego zawierającego tranzystor Darlingtona mocy.
EN
In the paper the dynamic electrothermal macromodel of the Darlington power transistor and the algorithm ESDYN for the estimation of all electrical parameters of this macromodel are presented. The proposed algorithm was formulated on the basis of the earlier elaborated d.c. macromodel in which new components, modeling electrical and thermal interia, were included. In the ESDYN algorithm the idea of the local parameter values estimation is used; it means that the values of parameters are calculated on the basis of the coordinates of the selected points lying on the proper parts of the isothermal a.c. chracteristic of the investigated device. These part of characterisics can be described by the use of the estimated parameters. The theoretical considerations were illustrated by experimentally verified calculations results of electrothermal transients in the simple network including the power Darlington transistor.
6
Content available remote Algorytm estymacji wartości parametrów elektrotermicznego stałoprądowego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy
Zarębski J., Górecki K.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2000
|
Vol. 46, nr 3
299-320
PL
W pracy zaproponowano oryginalny algorytm wyznaczania wartości parametrów elektrycznych ektrotermicznego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy. W algorytmie tym wykorzystano koncepcję twz. lokalnej estymacji parametrów, co oznacza, że wartości poszczególnych parametrów są obliczane na podtawie wspólnych punktów pomiarowych leżących na odpowiednich odcinkach izotermicznych charakterystyk statystycznych badanego tranzystora, dla których słuszny jest uproszczony model lokalny opisany za pomocą niewielkiej liczby parametrów. Przedstawiono ideę oraz sposób realizacji algorytmu i oceniono wpływ dokładności wyznaczenia wartości poszczególnych parametrów na przebieg nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora Darlingtona. Oceniono też praktyczną przydatność opracowanego algorytmu przez porównanie nieizotermicznych charakterystyk statycznych wybranych typów tranzystora Darlingtona mocy, otrzymanych z pomiarów i z symulacji . Symulacje przeprowadzono z wykorzystaniem wartości parametrów makromodelu, uzyskanych wcześniej za pomocą przedstawionego w pracy algorytmu.
EN
In the paper an original algorithm IDEN for the estimation of all electrical parameters of the d.c. electrothermal Darlington transistor macromodel is proposed. In this algorithm, conception of the local parameter values estimation is used, it means that the values of parameters are calculated on the basis of the coordinates of selected points, lying on the proper parts of the isothermal d.c. characteristics of the inverstigated transistor. These parts of characteristics can be described by the local models and searched parameters. In the paper, the idea and realisation of IDEN are presented. The influence of accuracy of the selected parameter values calculation on the shape of the Darlington transistor d.c. characteristics is examined and the practical usefulness of the elaborated algorithm is shown by comparing the nonisothermal d.c. characteristics of the selected types of the Darlington transistors, obtained after measurements and calculations with the use of the parameter values obtained from IDEN.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.