Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: modelling of semiconductor devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Comparison of methods for simulation of the optical properties of VCSELs

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

2017

Vol. 38

71--80

This paper presents the differences arising from the use of scalar (Effective Frequency Method) and vector (Fourier’s and Bessel’s Admittance Methods) calculation methods in optical analysis of arsenide Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs). Discussed results demonstrate that the vector methods are more accurate than the scalar one, but also they are more time consuming. By comparing two vector methods, it can be seen that the Bessel’s Admittance Method allows to obtain similar qualitatively and quantitatively results in a slightly shorter time. The calculations were performed for structures with varied aperture radius and its location in the resonant cavity. Moreover, this paper includes the comparison of calculation results for a structure in which there are layers with gradually changing refractive index, and the structure in which these layers are replaced by a layer with a constant average refractive index.

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

Nowy algorytm wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk dynamicznych elementów półprzewodnikowych w programie SPICE

Zarębski J., Górecki K.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2001

Vol. 47, z. 4

525-538

Praca dotyczy problemu wyznaczania charakterystyk dynamicznych elementów półprzewodnikowych w programie SPICE z uwzględnieniem zjawisk termicznych. Takie charakterystyki, nazywane nieizotermicznymi, różnią od charakterystyk izotermicznych, odpowiadających ustalonej temperaturze i wyznaczanych bezpośrednio za pomocą programu SPICE. W celu otrzymania nieizotermicznych charakterystyk dynamicznych elementów półprzewodnikowych, autorzy opracowali i uruchomili nowy algorytm ITER rozwiązywania równań, opisujących model elektryczny i termiczny elementu. W algorytmie tym wykorzystano też nową metodę wyznaczania mocy czynnej wydzielanej w elemencie półprzewodnikowym, niezbędnej do wyznaczenia temperatury wnętrza elementu w poszczególnych krokach obliczeń. Dobra zgodność przedstawionych w pracy wyników symulacji charakterystyk wybranych elementów półprzewodnikowych, pracujących w prostych układach elektronicznych, otrzymanych z wykorzystaniem nowego algorytmu oraz znanego z literatury algorytmu analizy elektrotermicznej, opartego na metodzie wspólnych iteracji, stanowi potwierdzenie skuteczności i wiarygodności algorytmu ITER.

This paper deals with the problem of SPICE modelling of the dynamic characteristics of semiconductor devices with the thermal phenomena taken into account. Such characteristics, called here as the nonisothermal ones differ from the isothermal characteristics defined at the constant value of temperature and being calculated directly from SPICE. However, to get the nonisothermal characteristics of semiconductor devices, a new algorithm ITER of the thermal and electrical device models solution has been proposed. In this algorithm the new calculation method of the real power dissipated in semiconductor devices is also proposed. The real power values are indispensable to compute the junction temperature with the use of the thermal model at the successive time steps of calculations. A very well agreement between the calculation results of the nonisothermal characteristics of the selected semiconductor devices performed by the use of ITER and the known algorithm of the common iterations revealed the usefulness and credibility of the new algorithm.