Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: modelling of electronic devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Algorytm estymacji wartości parametrów elektrotermicznego stałoprądowego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy

Zarębski J., Górecki K.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2000

Vol. 46, nr 3

299-320

W pracy zaproponowano oryginalny algorytm wyznaczania wartości parametrów elektrycznych ektrotermicznego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy. W algorytmie tym wykorzystano koncepcję twz. lokalnej estymacji parametrów, co oznacza, że wartości poszczególnych parametrów są obliczane na podtawie wspólnych punktów pomiarowych leżących na odpowiednich odcinkach izotermicznych charakterystyk statystycznych badanego tranzystora, dla których słuszny jest uproszczony model lokalny opisany za pomocą niewielkiej liczby parametrów. Przedstawiono ideę oraz sposób realizacji algorytmu i oceniono wpływ dokładności wyznaczenia wartości poszczególnych parametrów na przebieg nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora Darlingtona. Oceniono też praktyczną przydatność opracowanego algorytmu przez porównanie nieizotermicznych charakterystyk statycznych wybranych typów tranzystora Darlingtona mocy, otrzymanych z pomiarów i z symulacji . Symulacje przeprowadzono z wykorzystaniem wartości parametrów makromodelu, uzyskanych wcześniej za pomocą przedstawionego w pracy algorytmu.

In the paper an original algorithm IDEN for the estimation of all electrical parameters of the d.c. electrothermal Darlington transistor macromodel is proposed. In this algorithm, conception of the local parameter values estimation is used, it means that the values of parameters are calculated on the basis of the coordinates of selected points, lying on the proper parts of the isothermal d.c. characteristics of the inverstigated transistor. These parts of characteristics can be described by the local models and searched parameters. In the paper, the idea and realisation of IDEN are presented. The influence of accuracy of the selected parameter values calculation on the shape of the Darlington transistor d.c. characteristics is examined and the practical usefulness of the elaborated algorithm is shown by comparing the nonisothermal d.c. characteristics of the selected types of the Darlington transistors, obtained after measurements and calculations with the use of the parameter values obtained from IDEN.