Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: model modułowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The use of positioners in creation modular models of horns for mammals from the Bovidae family

Stępień C., Prolejko M.

Mathematica Applicanda

2014

Vol. 42, No. 2

179--192

The paper describes the method suitable for creating animated modular models of horns for mammals belonging to the Bovidae family. This method uses the time-dependent positioners. They are used in two ways: for placing modules appropriately to each other and for creating lateral surfaces of the modules. Thanks to double usage of the positioners, a continuous surface is achieved regardless of the complexity of the time-dependent parameters. There are considered different connections between parameters of modules, justified from the point of view of modeling the horns. The method is illustrated with the example of creation a time-dependent ram's horn model.

W pracy opisano metodę tworzenia animowanych modułowych modeli rogów ssaków z rodziny krętorogich, w której wykorzystano pojęcie pozycjonerów. W metodzie wykorzystuje się zależne od czasu pozycjonery na dwa sposoby: do ustawiania modułów względem siebie oraz do tworzenia powierzchni bocznej modułu. Dzięki podwójnemu wykorzystaniu pozycjonerów uzyskujemy ciągłość powierzchni bocznej bryły złożonej, bez względu na stopień skomplikowania parametrów zależnych od czasu. Rozważa się różne powiązania parametrów poszczególnych modułów, uzasadnione z punktu widzenia modelowania rogów. Metodę zilustrowano przykładem tworzenia modelu rogu baraniego.

IGBT static model based on diffusion equation implemented in SPICE source code

Starzak Ł., Napieralski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

41-43

A compact physical model of the Insulated Gate Bipolar Transistor has been presented. It has been based on the modular approach where the semiconductor structure is represented with several modules. The most important is the charge storage region where excess carriers are described with the ambipolar diffusion equation which enables obtaining carrier concentralion distribution along the wide, lightly doped base. In the future, it will enable implementing a dynamic device model. The model has been implemented in SPICE source code, which makes it accessible for the average electronic engineer.

Przedstawiony został kompaktowy model fizyczny tranzystora IGBT. Jest on oparty na podejściu modułowym, w którym struktura półprzewodnikowa odzwierciedlona jest za pomocą szeregu modułów. Najistotniejszym z nich jest obszar składowania ładunku, w którym nośniki nadmiarowe opisane są równaniem dyfuzji ambipolarnej, które umożliwia otrzymanie rozkładu koncentracji nośników wzdłuż szerokiej, słabo domieszkowanej bazy. W przyszłości możliwa będzie implementacja dynamicznego modelu przyrządu. Model został zaimplementowany w kodzie źródłowym symulatora SPICE, co czyni go dostępnym dla przeciętnego inżyniera elektronika.