Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: model for RTS noise

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model for RTS noise in submicron MOSFETs

Šikula J., Sedláková V., Pavelka J., Navarová H., Chvátal M., Kopecký M.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2010

T. 18

409-414

The paper presents a model for RTS noise in submicron MOSFETs which can explain some of complex switching phenomena being measured in nanoscale devices. A modified two-step approach is proposed. The charge carrier quantum transitions represent a primary process X(t), which involves two or three quantum states. The measurable quantity is the current modulation, which has discrete states and is represented by a secondary process Y(t). From the dependence of the capture time constant c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position.

W pracy przedstawiono model szumu RTS w submikronowych tranzystorach MOSFET, który może wyjaśnić niektóre ze złożonych zjawisk przełączania obserwowanych w przyrządch o nanoskali. Zaproponowano zmodyfikowane podejście dwu etapowe. Kwantowe przejścia nośników ładunku reprezentują pierwotny proces X(t) o dwóch lub trzech stanach kwantowych. Wielkością mierzalną jest modulacja prądu o stanach dyskretnych, reprezentujaca proces wtórny Y(t). Na podstawie zależności stałej czasowej pułapkowania c od prądu drenu można wyznaczyć współrzędną x położenia pułapki.