PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  model elektrotermiczny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modelowanie charakterystyk wybranych rdzeni ferromagnetycznych
Godlewska M., Górecki K.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
99--106
PL
Praca dotyczy modelowania charakterystyk wybranych rdzeni ferromagnetycznych. Przedstawiono wyniki weryfikacji poprawności autorskiego elektrotermicznego modelu rdzenia. Badania przeprowadzono dla czterech różnych materiałów ferromagnetycznych, z których wykonane zostały badane rdzenie. Wyniki symulacji porównano z wynikami pomiarów katalogowych. Uzyskano dobrą zgodność między rozważanymi wynikami.
EN
The paper concerns modelling characteristics of selected ferromagnetic cores. It presents the results of a calculations using authors’ electrothermal model of ferromagnetic cores. The simulations were conducted for four different ferromagnetic materials from which the tested cores were made. The simulation results were compared with the measurement results given in the catalogue sheets. Achieved good agreement between the results of calculations and measurements was obtained.
2
Content available Modelling the influence of self-heating on characteristics of IGBTs in the sub-threshold region
Górecki K., Górecki P.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2014
|
Vol. 5, nr 4
149--154
EN
The paper refers to modelling characteristics of IGBT in SPICE software with self-heating taken into account. The form of the electrothermal model of the considered transistor and equations describing this model are proposed. The correctness of the proposed model is verified experimentally during the operation of the examined transistor at different cooling conditions. Particular attention is paid to the non-typical course of characteristics of the considered device at weak excitation. The shape of the obtained characteristics is discussed and the influence of the sub-threshold effect in the input MOS structure on these characteristics is analysed.
3
Content available remote Cyclic Current Ratings of Single-Core XLPE Cables with Respect to Designed Life Time
Stojanovic M., Tasic D., Ristic A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 5
152-156
EN
This paper provides an overview of overload capacity of single-core XLPE cables buried in the ground. Cyclic rating factor obtained by IEC60853-1 and IEC60853-2 standards is conservative due to assumption that maximum temperature during the cycle is equal to rated temperature. Using the procedure proposed by IEC60853-2, transient temperature response of the cables exposed to daily cyclic loading is calculated. Then, overload capacity of cables is obtained with respect to assigned design life of cables using Arrhenius-IPM electrothermal life model.
PL
W artykule przedstawiono wyniki analizy możliwości przeciążeniowych jednożyłowego kabla grzebanego w ziemi. Na podstawie procedury zawartej w standardzie IEC60853-2 określono wpływ dobowego obciążenia energetycznego na zmiany temperatury kabla. Następnie korzystając z modelu elektro-termalnego Arrhenius-IPM i uwzględniając dane znamionowe określono możliwości przeciążeniowe kabli.
4
Content available remote Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky’ego z węglika krzemu z wykorzystaniem modelu elektrotermicznego
Zarębski J., Dąbrowski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2012
|
nr 75
19--30
PL
W artykule przedstawiono sformułowany dla programu SPICE elektrotermiczny model diody Schottky’ego mocy z węglika krzemu. Model zweryfikowano eksperymentalnie oraz oceniono jego przydatność w modelowaniu charakterystyk komercyjnie dostępnych nowych diod z węglika krzemu. Badania eksperymentalne i symulacyjne przeprowadzono dla diody STPSC806D oferowanej na rynku od roku 2009.
EN
In the paper the electrothermal model of the SiC power Schottky diode is presented. The model was experimentally verified and its usefulness for modeling new types of commercially accessible silicon carbide diodes was evaluated. The research were performed for diode STPSC806D offered on the market since 2009.
5
Content available remote Comparative analysis of electrothermal models of TEGs based on constant and temperature dependent parameters
Dziurdzia P., Mirocha A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11a
74-78
EN
The paper presents a comparative analysis of three different electrothermal models of a thermoelectric generator (TEG) implemented in SPICE. It starts from a model that is based on the constant parameters theory. Next, the one that takes into account a mean temperature at the both sides of the thermogenerator is described. Finally, a modified model is shown that calculates the values of parameters according to the actual temperatures at the hot and cold sides of a Peltier module respectively. Results of simulations for these three models are presented and discussed.
PL
W artykule przestawiono analizę porównawczą trzech różnych elektrotermicznych modeli generatorów termoelektrycznych zaimplementowanych w programie do analizy obwodów elektronicznych SPICE. Począwszy od modelu opartego na teorii stałych parametrów, poprzez model uwzględniający temperaturę średnią, jako ostatni opisano model biorący pod uwagę termiczne zależności parametrów modułu Peltiera niezależnie od temperatury strony zimnej i gorącej. W pracy zaprezentowano wyniki symulacji dla przedstawionych modeli oraz wnioski.
6
Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE
Zarębski J., Dąbrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 11
16-19
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC), z uwzględnieniem efektów termicznych, w programie SPICE. Przedstawiono i szczegółowo opisano elektrotermiczny makromodel diody Schottky'ego SiC dla programu SPICE, opracowany przez firmę Infineon Technologies. Makromodel został zweryfikowany doświadczalnie. Zaproponowano modyfikacje poprawiające jego dokładność.
EN
The paper deals with the problem of SPICE modelling of the class of silicon-carbide (SiC) Schottky diodes with thermal effects (selfheating) taken into account. In the paper the SPICE electrothermal (including selfheating) macromodel of Infineon Technologies SiC Schottky diode is presented and detaily investigated. The considered macromodel has been verified experimentally and some modifications of the macromodel were introduced.
7
Content available remote PWM controlled electrothermal macromodel dedicated for SPICE
Zarębski J., Górecki K.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2001
|
Vol. 47, z. 4
539-551
EN
The paper deals with the problem of electrothermal modelling of PWM controllers for SPICE. A new form of the electrothermal macromodel of SG3525A controller including the dependence of the output pulse width and of the supply current on the voltage error, the supply voltage and the junction temperature is proposed. The parameter values of macromodel have been obtained from measurements. To illustrate the correctness and usefulness of the macromodel, some results of measurements and calculations of SG3525A controller operating in the catalogue test circuit are given as well.
PL
W pracy przedstawiono problem modelowania sterowników PWM na potrzeby analizy z wykorzystaniem programu SPICE z uwzględnieniem samonagrzewania. Zaproponowano nowy elektrotermiczny makromodel sterownika SG3525A firmy STMicroelectronics, uwzględniający zależność szerokości impulsów wyjściowych oraz prądu zasilającego badany układ od napięcia błędu, napięcia zasilania i temperatury wnętrza układu. Wartości parametrów elektrycznych zostały wyznaczone na podstawie pomiarów odpowiednich charakterystyk izotermicznych, natomiast parametry termiczne wyznaczane są z pomiarów wykorzystujących krzywą chłodzenia układu oraz charakterystykę termometryczną dostępnego dla użytkownika złącza p-n. W pracy zamieszczono szereg wyników pomiarów i obliczeń rozważanego sterownika, potwierdzających poprawność i skuteczność zaproponowanego makromodelu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.