Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: mobility spectrum analysis

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

InAs light-to-heavy hole effective mass ratio determined experimentally from mobility spectrum analysis

Wróbel Jarosław, Umana-Membreno Gilberto A., Boguski Jacek, Złotnik Sebastian, Kowalewski Andrzej, Moszczyński Paweł, Antoszewski Jarek, Faraone Lorenzo, Wróbel Jerzy

Opto-Electronics Review

2023

Vol. 31, Special Issue

art. no. e144567

Careful selection of the physical model of the material for a specific doping and selected operating temperatures is a non-trivial task. In numerical simulations that optimize practical devices such as detectors or lasers architecture, this challenge can be very difficult. However, even for such a well-known material as a 5 μm thick layer of indium arsenide on a semiinsulating gallium arsenide substrate, choosing a realistic set of band structure parameters for valence bands is remarkable. Here, the authors test the applicability range of various models of the valence band geometry, using a series of InAs samples with varying levels of p-type doping. Carefully prepared and pretested the van der Pauw geometry samples have been used for magneto-transport data acquisition in the 20-300 K temperature range and magnetic fields up to ±15 T, combined with a mobility spectra analysis. It was shown that in a degenerate statistic regime, temperature trends of mobility for heavy- and light-holes are uncorrelated. It has also been shown that parameters of the valence band effective masses with warping effect inclusion should be used for selected acceptor dopant levels and range of temperatures.

Charakteryzacja wielokanałowego transportu nośników ładunku dla epitaksjalnych struktur półprzewodnikowych

Wróbel Jarosław, Złotnik Sebastian, Boguski Jacek, Kojdecki Marek, Wróbel Jerzy

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 9

228--230

W pracy zwrócono uwagę na potrzebę rozwoju technik do precyzyjnego parametryzowania wielokanałowego transportu nośników ładunku, mających fundamentalne znaczenie dla efektywnego projektowania przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono aktualny stan rozwoju tych technik pomiarowych w Wojskowej Akademii Technicznej, oraz przykładowe rezultaty dla struktur półprzewodnikowych, otrzymywanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

The paper highlights the need to develop techniques for the precise parameterization of multi-channel charge carrier transport, which are of fundamental importance for the effective design of semiconductor devices. The current state of development of these measurement techniques at the Military University of Technology is presented, as well as exemplary results for semiconductor structures obtained by molecular beam epitaxy (MBE).