Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.
EN
Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.