Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2018

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: mikroskop ze skanującą sondą

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

Szyszka A., Paszkiewicz R, Szymański T., Tłaczała M.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 8

21--24

W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.

In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.