Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: mieszaniny tlenków HfO2-TiO2

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza właściwości antystatycznych cienkich warstw na bazie tlenków Hf i Ti w powiązaniu z ich mikrostrukturą

Pastuszek Roman, Mazur Michał, Kaczmarek Danuta, Domaradzki Jarosław, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2019

Vol. 60, nr 7

18--20

W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO₂ oraz SiO₂ pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO₂, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO₂ były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO₂ czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO₂ pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.

This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their structural properties. Investigated thin films were sputtered by the magnetron sputtering method on SiO₂ substrates and deposited SiO₂ covered with a 150 nm thick indium-tin oxide film. Antistatic properties were determined based on the measurements of static charge dissipation time, while structural properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed, that HfO₂, Hf0.85Ti0.15x and TiO₂ thin films were nanocrystalline with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film was amorphous. For films deposited on SiO₂ the dissipation times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them were antistatic taking into consideration with accepted cryterion. The longest dissipation time was obtained for amorphous coating. Deposition of thin films on SiO₂ substrates coated with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds, independently of their structural properties.

Analiza właściwości antystatycznych mieszanin tlenków Hf oraz Ti o małej zawartości tytanu

Pastuszek R., Mazur M., Kotwica T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2018

Vol. 59, nr 7

20--22

W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości antystatycznych cienkich warstw mieszanin tlenków tytanu (TiO₂) oraz hafnu (HfO₂). Warstwy naniesione zostały w procesie rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO₂). Otrzymano warstwy HfO₂ oraz HfO₂ z dodatkiem Ti w ilości 4% at., 13% at. oraz 28% at. Pomiary metodą XRD wykazały, że warstwy miały nanokrystaliczną strukturę, a średni rozmiar krystalitów wyniósł ok. 6 nm. Najmniejszą rezystywnością cechowała się warstwa HfO₂, największą zaś warstwa o zawartości 28% at. Ti. Wzrost zawartości atomowej tytanu w warstwie powodował zwiększenie rezystywności warstwy. Zmierzono czasy rozpraszania ładunku statycznego z powierzchni warstw przy polaryzacji ładunkiem dodatnim o napięciu 7 kV. Najkrótszy czas rozpraszania ładunku do 10% wartości początkowej uzyskano dla warstwy HfO₂, a najdłuższy dla warstwy zawierającej 28% at. Ti. Korelacja wyników pozwoliła na zaobserwowanie, że wraz ze wzrostem rezystywności warstw wydłużał się czas rozpraszania ładunku.

In this paper antistatic properties of mixed titanium and hafnium oxides were investigated. Thin films of mixtures were deposited on SiO₂ substrates using magnetron sputtering processes. XRD results showed that investigated thin films had nanocrystalline structure. Crystallites size was equal to ca. 6 nm for all samples. The lowest resistivity was obtained for hafnia thin film and the highest for HfO₂ with 28 at. % of Ti. Results showed that resistivity increased with the amount of Ti in mixed oxides. Static charge dissipation time measurements were analyzed. Dissipation time increased with an increase of Ti amount. Results demonstrated in this paper showed a good corellation beetwen charge decay time and resistivity of investigated thin films. Decay times increased alongside of resistivity value.