PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 15

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  mid-infrared
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Development of the hybrid distributed Bragg reflectors for mid-infrared applications
Mikulicz Monika, Badura Mikołaj, Rygała Michał, Smołka Tristan, Macherzyński Wojciech, Łozińska Adriana, Motyka Marcin
Opto-Electronics Review
|
2024
|
Vol. 32, No. 1
art. no. e149168
EN
In this study, an analysis of the optical performance of two types of distributed Bragg reflector structures based on GaAs and InP material systems was carried out. The structures were designed for maximum performance at 4 μm with their reflectivity achieving between 80 and 90% with eight pairs of constituent layers. To further enhance the performance of these structures, additional Au layers were added at the bottom of the structure with Ti precoating applied to improve the adhesivity of the Au to the semiconductor substrate. The optimal range of Ti layer thickness resulting in the improvement of the maximum reflectivity was determined to be in between 5 and 15 nm.
2
Content available Mid-infrared polarization beam splitter based on square/circular hybrid air holes with wide bandwidth and ultrashort length
Zheng Guang-Ming
Optica Applicata
|
2022
|
Vol. 52, nr 3
345--358
EN
A novel mid-infrared polarization beam splitter (PBS) based on GaS is proposed. The high birefringence is achieved by using the cladding structure of alternating arrangement of square and circular air holes as well as introducing double elliptical air holes. The finite element method (FEM) is utilized to investigate the mode coupling characteristics in the proposed PBS. The results show that the highest extinction ratio of 115 dB and shortest length of only 40 μm can be realized at a wavelength of 4 μm. A wide bandwidth of 200 nm ranging from 3.9 to 4.1 μm is obtained.
3
Content available remote Stan badań nad laserami kaskadowymi na zakres średniej podczerwieni w ITE
Bugajski M., Sobczak G., Pierścińska D., Michalak K., Gutowski P., Janus K., Pierściński K., Branas J., Kuzmicz A., Chmielewski K., Sankowska I.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
35--38
PL
W artykule omówione zostaną paramery laserów kaskadowych wutwarzanych w Instytucie Technologii Elektronowej. Wskazane zostaną obszary w których lasery wytwarzane w kraju mogą konkurowac z podobnymi przyrządami wytwarzanymi za granicą.
EN
The paper describes the status of technology of mid-IR quantum cascade lasers (QCLs) based on GaAs/AlGaAs and InAlAs/InGaAs/InP material system developed at the Institute of Electron Technology. Two main types of lasers were investigated. First, was based on lattice matched active region designed for wavelengths of λ=9.0 μm-10.0 μm. The second, was based on strain-compensated active region designed for wavelengths of λ=4.5 μm-5.5 μm. Basic characteristics and parameters of all types of lasers are discussed. Possible applications in which the lasers developed at ITE can compete with those available on world market are indicated.
4
Content available Picosecond mode-locked tm-doped fibre laser and amplifier system providing over 20 W of average output power at 1994 nm
Grześ P., Michalska M., Świderski J.
Metrology and Measurement Systems
|
2018
|
Vol. 25, nr 4
649--658
EN
A mode-locked Tm3+-doped fibre laser and amplifier operating at a central wavelength of 1994.3 nm is demonstrated. A thulium oscillator is passively mode-locked by a semiconductor saturable absorber mirror to generate an average power of 17 mW at a fundamental repetition rate of 81 MHz in a short linear cavity. This 2-μm laser train is amplified to an average power to 20.26 W by two double-clad thulium-doped all-fibre amplifiers. The pulse energy, duration and peak power is 250 nJ, 23 ps and 9.57 kW, respectively. This represents one of the highest values of average power at ~2-μm-wavelength for picosecond thulium-doped fibre lasers and amplifiers. The performance of the laser system is described in details.
5
Dwufalowy półprzewodnikowy laser dyskowy do generacji promieniowania z zakresu średniej podczerwieni
Sokół A. K., Sarzała R. P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
39--42
PL
W pracy dokonano numerycznej analizy możliwości zaprojektowania nowego źródła promieniowania laserowego o długości fali z zakresu średniej podczerwieni (3–5 µm). Idea polega na wykorzystaniu optycznie pompowanego półprzewodnikowego lasera dyskowego emitującego promieniowanie o dwóch długościach fali i techniki generacji częstotliwości różnicowej. Przyrząd ten ma w zamierzeniu stanowić alternatywę dla obecnych bezpośrednich i pośrednich źródeł promieniowania laserowego ze wspomnianego zakresu spektralnego, które ze względu na swoje ograniczenia często nie spełniają oczekiwań komercyjnego odbiorcy.
EN
The paper presents a numerical analysis of designing a new source of laser radiation from the mid-infrared spectral range (3–5 µm). The idea is to use an optically–pumped semiconductor disk laser emitting at two different wavelengths and the difference frequency generation technique. The device is intended to be an alternative for present direct and indirect sources of laser radiation from the considered spectral range which often do not meet customer expectations.
6
Źródła supercontinuum średniej podczerwieni o dużej wyjściowej mocy średniej
Michalska M., Mamajek M., Świderski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 10
106-112
PL
Artykuł porusza zagadnienia generacji promieniowania supercontinuum zakresu widmowego średniej podczerwieni o dużej wyjściowej mocy średniej. Omówiona została idea generacji supercontinuum, scharakteryzowano dostępne laserowe układy pompujące oraz ośrodki nieliniowe używane do generacji supercontinuum. Zaprezentowano również wybrane praktyczne realizacje takich układów opracowane w Polsce.
EN
The article presents the subject of high average power mid-infrared supercontinuum generation. The idea of supercontinuum generation, available laser pump systems and nonlinear media used for supercontinuum generation are outlined. Selected practical realizations of such systems developed in Poland are also presented.
7
Content available remote ATLAS simulation of a laser diode for free space optical communication (FSOC) in mid-infrared spectral region
Sanjeev, Chakrabarti P.
Opto-Electronics Review
|
2014
|
Vol. 22, No. 3
147-151
EN
In this paper, simulation studies on an N+−InAs0.61Sb0.13P0.26/n0−InAs0.97Sb0.03/P+−InAs0.61Sb0.13P0.26 double heterostructure laser diode suitable for use as a source in a free space optical communication system at 3.7 μm at room temperature has been presented. The device structure has been characterized in terms of energy band diagram, electric field profile, and carrier concentration profile using ATLAS simulation tool from Silvaco. The current-voltage characteristics of the structure have been estimated taking into account the degeneracy effect. The results of simulation have been validated by the reported experimental results.
8
Technologia wytwarzania i pomiary absorpcji szkieł chalkogenidkowych domieszkowanych jonami ziem rzadkich
Sójka Ł., Bereś-Pawlik E., Tang Z., Furniss D., Seddon A. B., Benson T. M., Sujecki S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 11
64-66
PL
Szkła chalkogenidkowe charakteryzują się niską energią fononów dlatego też są obiecującym materiałem dla realizacji światłowodów na zakres średniej podczerwieni. W pracy przedstawiono technologię wykonania szkieł chalkogenidkowych (Ge₁₆.₅ As₁₆Ga3Se₆.₅) domieszkowanych jonami ziem rzadkich (Dy³⁺, Tb³⁺, Pr³⁺). Wyniki eksperymentalne absorpcji otrzymano za pomocą spektroskopii furierowskiej w zakresie podczewieni (ang. FTIR). Podstawowe parametry domieszkowanych szkieł chalkogenidkowych takie jak: promieniste czasy życia poziomów energetycznych oraz współczynniki rozgałęzienia luminescencji beta obliczono metodą Judda- Ofelta. Na podstawie otrzymanych wyników omówiono wpływ linii bazowej na błędy metody pomiarowej. Na podstawie otrzymanych wyników zaprezentowano zastosowanie szkieł chalkogenidkowych do realizacji laserów światłowodowych na zakres średniej podczerwieni.
EN
One of the promising materials for the construction of mid-infrared fiber lasers is the chalcogenide glass. The chalcogenide glass has low phonon energy (below 400 cm⁻¹) when compared with standard materials used to produce fiber lasers, i.e. ZBLAN and silica glass.We present a comprehensive study of chalcogenide glass fiber lasers doped with Dy³⁺, Pr³⁺ or Tb³⁺ that operate in the mid-infrared wavelength range. A set of chalcogenide glass samples doped with different concentrations of rare earth ions was fabricated. The modeling parameters are directly extracted from FTIR absorption measurements performed on the fabricated bulk glass samples using Judd-Ofelt theory. Results show that, for all the dopants considered, an efficient mid-infrared laser action is possible if optical losses are kept at the level of 1dB/m or below.
9
Content available remote Above GaSb barrier in type II quantum well structures for mid-infrared emission detected by Fourier-transformed modulated reflectivity
Motyka M., Janiak F., Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Bauer A., Weih R., Höfling S., Kamp M., Forchel A.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
Vol. 19, No. 2
137-139
EN
Modulation spectroscopy in its Fourier-transformed mode has been employed to investigate the optical properties of broken gap 'W'-shaped GaSb/AlSb/InAs/InGaSb/InAs/AlSb/GaSb quantum well structures designed to emit in the mid infrared range of 3-4 µm for applications in laser-based gas sensing. Besides the optical transitions originating from the confined states in the type II quantum wells, a number of spectral features at the energy above the GaSb band gap have been detected. They have been analyzed in a function of InAs and GaSb layer widths and ultimately connected with resonant states in the range of AlSb tunneling barriers.
10
Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni
Sarzała R. P., Szczerbiak P., Kudrawiec R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
82-84
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.
EN
In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.
11
Wpływ parametrów zasilania na parametry aplikacyjne laserów kaskadowych na zakres średniej podczerwieni
Trajnerowicz A., Karbownik P., Pruszyńska-Karbownik E., Szerling A., Kosiel K., Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
109-111
PL
W pracy omawiamy podstawowe pomiary charakteryzacyjne kwantowych laserów kaskadowych. Przedstawiamy wpływ parametrów zasilania elektrycznego na działanie laserów kaskadowych i omawiamy drogę do ich optymalizacji.
EN
The paper presents basic measurements characterizing the quantum cascade lasers. The impact of pumping current parameters on the quantum cascade lasers operations. The way to optimization of current supply are discussed.
12
Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
Kosiel K., Szerling A., Karbownik P., Kubecka-Traczyk J., Pruszyńska-Karbownik E., Trajnerowicz A., Pierścińska D., Bugajski M
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
99-102
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.
EN
Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.
13
Lasery kaskadowe z AlGaAs/GaAs na pasmo średniej podczerwieni (∼ 9 μm)
Kosiel K., Szerling A., Muszalski J., Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
43-48
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego wykorzystuje wewnątrzpasmowe optyczne przejścia nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie różnych rodzajów epitaksjalnych materiałów półprzewodnikowych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego dostępnego zakresu emisyjnego. Jednocześnie jednak jedynie skrajnie wysoka precyzja realizacji właściwych założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza dotyczących grubości, składu i domieszkowania warstw heterostruktury epitaksjalnej pozwala osiągnąć sukces w tej dziedzinie. Odpowiednie opracowanie i realizacja technologii epitaksji z wiązek molekularnych MBE oraz zastosowany perfekcyjny processing przyrządowy pozwoliły na wykonanie laserów kaskadowych Al­GaAs/GaAs, emitujących wiązkę ∼ 9 μm o mocy ponad 1 W w piku (77K).
EN
Ouantum cascade lasers are unipolar devices, in which the mechanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers. The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission speetrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of Iayers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 μm) with over 1 W peak powers (77K).
14
Kwantowe lasery kaskadowe : podstawy fizyczne
Pabjańczyk A., Sarzała R. P., Wasiak M., Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
30-43
PL
W pracy omówiono zasady działania, właściwości i podstawowe zastosowania kwantowych laserów kaskadowych. Przedstawiono także historię ich rozwoju i opisano podstawowe konstrukcje laserów działających w zakresie średniej i dalekiej podczerwieni. Kolejnym zagadnieniem, które zostało przedyskutowane są problemy materiałowe związane z wytwarzaniem laserów kaskadowych.
EN
The paper discusses quantum cascade lasers fundamentals, their properties and basie applications. A brief history of mid-infrared and far-infrared cascade lasers development is presented and basic device designs are reviewed. Finally the materials related aspects and fabrication of cascade lasers are detailed.
15
Content available remote Design and fabrication of GaSb/InGaAsSb/AlGaSb mid-infrared photodetectors
Piotrowski T. T., Piotrowska A., Kamińska E., Piskorski M., Papis E., Gołaszewska K., Kątcki J., Ratajczak J., Adamczewska J., Wawro A., Piotrowski J., Orman Z., Pawluczyk J., Nowak Z.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
Vol. 9, No. 2
188-194
EN
The paper reports on the design and fabrication of LPE-grown GaSb/n-InxGa₁-xAsySb₁-y/p-AlxGa₁-xAsySb₁-y heterojuction photodetectors operating in the 2-2.4 mm wavelength region. Experiments on LPE growth of high-x-content quaternaries as well as optimisation of device processing has been carried out. LPE growth at T » 530°C enabled obtaining lattice matched heterostructures with 19% indium in the active layer In₀.₁₉Ga₀.₈₁As₀.₁₆Sb₀.₈₄/Al₀.₂₄Ga₀.₇₆As₀.₀₄Sb₀.₉₆ and photodetectors with lc = 2.25 um. By increasing the temperature of epitaxial growth to 590°C In₀.₂₃Ga₀.₇₇As₀.₁₈Sb₀.₈₂/Al₀.₃₀Ga₀.₇₀As₀.₀₃Sb₀.₉₇ heterostructures (with 23% indium content) suitable for photodetectors with lc = 2.35 um have been obtained. Mesa-type photodiodes were fabricated by RIE in CCl₄/H₂ plasma and passivated electrochemically in (NH₄)₂S. These devices are characterised by differential resistance area product up to 400 Wcm² and the detectivity in the range the range 3´1010-2´1011 cmHz¹/²/W, in dependence on the photodiode active area and cut-off wavelength.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.