Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: mid infrared emitter

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model numeryczny lasera QCL oparty na formalizmie nierównowagowych funkcji Greena

Kolek A., Hałdaś G., Bugajski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

51-53

W artykule przedstawiono wyniki obliczeń numerycznych przeprowadzonych dla struktury lasera kaskadowego emitującego promieniowanie w zakresie średniej podczerwieni uzyskane z zastosowaniem formalizmu nierównowagowych funkcji Greena. Obliczenia przeprowadzono w przestrzeni rzeczywistej. Uwzględniono nieparaboliczność pasm oraz różne rodzaje rozproszeń elastycznych i nieelastycznych. Wyniki porównano z eksperymentem uzyskując dobrą zgodność.

Nonequlibrium Green's function formalism was applied to the structure of quantum cascade laser emitting at mid-infrared range. Calculations were made in real space basis and took into account nonparabolicity of the subbands and various scattering mechanisms. Results were compared with experiments and good agreement was found.

InNAs : a new optoelectronic material for mid-infrared applications

Osiński M.

Opto-Electronics Review

2003

Vol. 11, No. 4

321-326

The InNx As1-x alloy is a very promissing, although so far almost completely unexplored, novel material for mid-IR emitters and detectors. InNAs/GaAs multiple quantum wells were grown by MOCVD on GaAs substrates, using dimenthylhydrazine (DMHy) as nitrogen precursor. The crystalline quality and solid phase composition were evaluated by high-resolution x-ray diffraction. The nitrogen content in InNAs wells was determined to be 18%. The measurements indicate high quality of quantum-well structures. The peak photoluminescence emission wavelengths of ~6.5 um at 30 K and ~7.2 um at 193 K are the longest reported so far for dilute nitride semiconductors.