PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  microwave amplifier
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Niskoszumny szerokopasmowy wzmacniacz mikrofalowy
Rećko C., Rogala T., Susek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2018
|
Vol. 59, nr 3
2--4
PL
W artykule przedstawiono problematykę implementacji szerokopasmowego niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego wykonanego w technologii MMIC. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wzmacniacza niskoszumnego pracującego w paśmie 6–26 GHz.
EN
The article presents the implementation problem of low noise wideband microwave amplifier produced in MMIC technology. The results of experimental tests of low noise amplifier operating in the band of 6–26 GHz has been presented.
2
Content available remote Wejściowy stopień wzmacniający odbiornika mikrofalowego na pasmo X
Susek W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
22-24
PL
Artykuł obejmuje treści i zagadnienia związane ze stopniem wejściowym odbiornika mikrofalowego na pasmo X. Przedstawiono w nim zagadnienia związane z układami współczesnych odbiorników radioelektronicznych. W artykule przedstawiono proces projektowania, symulacji, wykonania i badania podstawowych układów mikrofalowych wchodzących w skład stopnia wejściowego odbiornika, takich jak niskoszumne wzmacniacze mikrofalowe oraz pasmowo-przepustowe filtry mikrofalowe pracujące w paśmie X. Na zakończenie dokonano pomiarów tak zaprojektowanych i wykonanych układów.
EN
The problems and subjects of the input stage front–end microwave receiver for X-band have been discussed in the paper. The subjects comprised with modern radioelectronic receivers for X-band have been presented. The successive processes: designing, simulation, practical realization and investigation have been discussed. This processes are similar for all components of the front-end receiver, such as: low-noise microwave amplifiers and passband microwave filter, working in X-band. At the end, measured characteristics of the designed and practically realized circuits have been presented.
3
Content available remote Technika linearyzacji niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego metodą superpozycji pochodnej
Susek W., Stec B.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 3
262-266
PL
W artykule przedstawiono model tranzystora MESFET ze względu na analizę produktów intermodulacyjnych (IMD) wzmacniacza mikrofalowego. Omówiono sposób linearyzacji elementu aktywnego wykorzystujący metodę superpozycji pochodnej w zastosowaniu do tranzystorów MESFET tego samego typu. Zaprezentowano rozwiązanie układowe niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego o dużej liniowości oraz jego charakterystyki otrzymane na drodze symulacji.
EN
A procedure for active element linearization via derivative superposition used for MESFET transistors is discussed in the paper. A method for description of transient characteristics of microwave field MESFET transistors, other than classic one, is presented. A solutions of a circuit for a microwave amplifier of high linearity and its characteristics obtained via simulation are also shown.
4
Content available remote Szerokopasmowy niskoszumny wzmacniacz mikrofalowy odbiornika rozpoznawczego
Susek W.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2007
|
Vol. 56, nr sp.2
419-426
PL
Systemy rozpoznania radioelektronicznego wykorzystują klasyczne odbiorniki superheterodynowe i detektorowe. Na wejściu tych odbiorników występują wzmacniacze w.cz., których podstawowym przeznaczeniem jest uzyskanie wymaganej czułości układu. Proces rozpoznania nakłada na wzmacniacz wymagania, szczególnie jeżeli chodzi o jego dynamikę, liniowość, wzmocnienie, stałość parametrów fazowych i współczynnik szumów. W artykule przedstawiono rozwiązanie niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego o dużej liniowości i dużym wzmocnieniu. Zaprezentowano strukturę planarną oraz schemat ideowy takiego rozwiązania. Zastosowane w prezentowanym wzmacniaczu obwody dopasowujące pozwoliły na uzyskanie założonych parametrów szumowych, transmisyjnych i odbiciowych. Szczególnie istotne jest to, że omawiany wzmacniacz charakteryzuje się zarówno dobrym dopasowaniem na wejściu, jak i niskim współczynnikiem szumów. Na zakończenie zaprezentowano wyniki pomiarów eksperymentalnych podstawowych parametrów wzmacniacza.
EN
The wireless communications and microwave warning systems used front-ends receiver heterodyne receiver. The microwave amplifier provides a fundamental function of these receivers. The low-noise amplifiers (LNAs) are necessary to reduce the noise figure of the system and to increase the sensitivity of the receiver. In the paper, a design of low-noise amplifier is presented. Circuit diagram and planar structure of the amplifier are shown. The presented amplifier is characterized by high linearity, high stability, low noise figure, high dynamic range, and gain. The RF amplifier, presented in the paper, has low return loss of input end output as well as low noise figure. The amplifier operates in 0.75-2 GHz frequency range and its gain is of above 40 dB. Experimental results are also shown.
5
Content available remote Projektowanie i analiza wzmacniacza mikrofalowego w aspekcie właściwości nieliniowych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2000
|
T. 19, z. 2
77--81
PL
Prezentowana praca stanowi odrębną tematycznie całość, lecz wiąże się z opracowaniem, zamieszczonym w poprzednim numerze Zeszytów, zatytułowanym „ Projektowanie mikrofalowych wzmacniaczy małoszumnych ". Przedstawiono tam szczegółowy projekt wzmacniacza liniowego, który jest podstawą dla projektu opisanego w niniejszym artykule. Tutaj rozważany jest wzmacniacz z tranzystorem opisanym w formie modelu nieliniowego dzięki czemu możliwa jest analiza właściwości nieliniowych układu. Zbadano zachowanie się wzmacniacza przy zmianach częstotliwości i mocy sygnału pobudzającego, przy zmianach napięcia polaryzującego, przy pobudzeniu dwoma sygnałami oraz przy pobudzeniu sygnałem cyfrowym. Szczególną uwagę zwrócono na zjawisko intermodulacji 3. rzędu, istotne w nowoczesnych wzmacniaczach wiełosygnałowych. Praca może też stanowić przykład możliwości nowoczesnego symulatora mikrofalowych układów nieliniowych (Serenade® 7.5) w przypadku analizy wzmacniaczy.
EN
This article constitutes a separate subject although is connected with the elaboration placed in the previous issue of the journal entitled "Low noise amplifier design ". There was presented a detailed design of microwave linear amplifier, which was a basis for the local design. An amplifier with MESFET nonlinear model is considered here so nonlinear properties investigation is possible. Functioning of the amplifier with changing of various signal parameters and number of signals is included. Phenomenon of the 3-rd order intermodulation is specially elaborated. The work can also serve as an example of the possibilities of a modern nonlinear microwave circuit simulator (Serenade 7.5).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.